[实用新型]一种用场效应管构建的PLC晶体管输出端口隔离电路有效

专利信息
申请号: 201720033859.1 申请日: 2017-01-12
公开(公告)号: CN207283526U 公开(公告)日: 2018-04-27
发明(设计)人: 吴钰;陈洁 申请(专利权)人: 嘉兴技师学院
主分类号: H03K19/0185 分类号: H03K19/0185
代理公司: 杭州九洲专利事务所有限公司33101 代理人: 翁霁明
地址: 314036 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 用场 效应 构建 plc 晶体管 输出 端口 隔离 电路
【权利要求书】:

1.一种用场效应管构建的PLC晶体管输出端口隔离电路, 它包括PLC晶体管输出端和公共端、用MOSFET管构建的隔离电路、用MOSFET管构建的开关电路、以及与开关电路相连的负载电路;所述的PLC晶体管输出端和公共端与所述的用MOSFET管构建的隔离电路输入端连接,所述的用MOSFET管构建的开关电路输入端与用MOSFET管构建的隔离电路输出端相连,所述负载电路与用MOSFET管构建的开关电路输出端相连;所述的PLC晶体管输出端口传出的电信号,经过用MOSFET管构建的隔离电路,通过用MOSFET管构建的开关电路输出控制信号,控制负载电路。

2.根据权利要求1所述的用场效应管构建的PLC晶体管输出端口隔离电路, 其特征在于所述的用MOSFET管构建的隔离电路包括:电源模块、PMOSFET管T1、NMOSFET管T2、第一电阻;所述的PMOSFET管T1的D1脚与所述的NMOSFET管T2的D2脚相连接,所述的PLC晶体管的输出端口与所述第一电阻一端、PMOSFET管T1的G1脚、NMOSFET管T2的G2脚相连接,所述的电源模块的0V端与NMOSFET管T2的S2脚、PLC晶体管输出公共端口相连接,第一电阻另一端与电源模块的+5V端、PMOSFET管T1的S1脚相连接。

3.根据权利要求2所述的用场效应管构建的PLC晶体管输出端口隔离电路, 其特征在于所述的用MOSFET管构建的开关电路包括:NMOSFET管T3、第二电阻;所述的NMOSFET管T3的D3脚与所述的负载一端相连接,所述的第二电阻的一端与NMOSFET管T3的G3脚、NMOSFET管T2的D2脚相连接,NMOSFET管T3的S3脚与第二电阻的另一端相、电源模块的0V端相连接后,接到负载电路的另一端。

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