[实用新型]一种石墨平台可滑动式的SiC生长坩埚平台有效

专利信息
申请号: 201720036325.4 申请日: 2017-01-12
公开(公告)号: CN206418223U 公开(公告)日: 2017-08-18
发明(设计)人: 宗艳民;高超;梁庆瑞;张红岩 申请(专利权)人: 山东天岳晶体材料有限公司
主分类号: C30B29/36 分类号: C30B29/36;C30B35/00
代理公司: 济南舜源专利事务所有限公司37205 代理人: 苗峻
地址: 250000 山东*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 一种 石墨 平台 滑动 sic 生长 坩埚
【权利要求书】:

1.一种石墨平台可滑动式SiC生长坩埚平台,其特征在于,包括长方体形石墨平台(2),所述的长方体形石墨平台(2)上开设有坩埚槽(1),且坩埚槽(1)凹陷在长方体形石墨平台(2)内部,开口与长方体形石墨平台(2)的上表面平齐;所述的坩埚槽(1)内铺设石墨毡(6),且石墨毡(6)内部均匀分布有电阻丝(5),电阻丝(5)的端部裸露在石墨毡(6)的外部,SiC生长坩埚(7)放置在坩埚槽(1)内部,其外表面与裸露的电阻丝端部相接;所述的长方体形石墨平台(2)底部设置有滑动导轨(4)。

2.如权利要求1所述的石墨平台可滑动式SiC生长坩埚平台,其特征在于,所述的石墨毡(6)外部设置有通电按钮(8)。

3.如权利要求1所述的石墨平台可滑动式SiC生长坩埚平台,其特征在于,所述的长方体形石墨平台(2)放置在不锈钢底座(3)上。

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