[实用新型]用于中子捕获治疗系统的辐射线检测系统

权利要求书

1.一种用于中子捕获治疗系统的辐射线检测系统，其特征在于：所述中子捕获治疗系统包括带电粒子束、用于通过所述带电粒子束的带电粒子束入口、经与所述带电粒子束发生核反应从而产生中子束的中子产生部、用于调整经所述中子产生部产生的中子射束通量与品质的射束整形体和邻接于所述射束整形体的射束出口，其中，所述辐射线检测系统包括辐射线检测装置，所述辐射线检测装置用于实时检测经中子束照射后瞬发的γ射线。

2.根据权利要求1所述的用于中子捕获治疗系统的辐射线检测系统，其特征在于：所述辐射线检测系统进一步包括控制装置，所述控制装置根据所述辐射线检测装置的检测结果发出人类感知的信号以确认所述中子捕获治疗系统的下一步作业；所述控制装置包括控制部和显示部，所述控制部将所述辐射线检测系统的检测结果通过所述显示部显示出来并且将检测结果反馈给加速器以确认所述加速器的下一步作业。

3.根据权利要求1或2所述的用于中子捕获治疗系统的辐射线检测系统，其特征在于：所述辐射线检测装置为检测γ射线的游离室或闪烁探测头，所述辐射线检测系统通过检测到的γ信号推算出硼浓度值。

4.根据权利要求1或2所述的用于中子捕获治疗系统的辐射线检测系统，其特征在于：所述射束整形体包括邻接于所述中子产生部的缓速体、包围在所述缓速体外的反射体、与所述缓速体邻接的热中子吸收体和设置在所述射束整形体内的辐射屏蔽，所述缓速体将自所述中子产生部产生的中子减速至超热中子能区，所述反射体将偏离的中子导回以提高超热中子射束强度，所述热中子吸收体用于吸收热中子以避免治疗时与浅层正常组织造成过多剂量，所述辐射屏蔽用于屏蔽渗漏的中子和光子以减少非照射区的正常组织剂量。

5.根据权利要求4所述的用于中子捕获治疗系统的辐射线检测系统，其特征在于：所述中子产生部容纳在所述缓速体内。

6.根据权利要求4所述的用于中子捕获治疗系统的辐射线检测系统，其特征在于：所述射束整形体能将中子缓速至超热中子能区，并降低热中子及快中子含量，超热中子能区在0.5eV到40keV之间，热中子能区小于0.5eV，快中子能区大于40keV，所述缓速体由具有快中子作用截面大、超热中子作用截面小的材料制成，所述反射体由具有中子反射能力强的材料制成，所述热中子吸收体由与热中子作用截面大的材料制成。

7.根据权利要求6所述的用于中子捕获治疗系统的辐射线检测系统，其特征在于：所述反射体由Pb或Ni中的至少一种制成，所述热中子吸收体由⁶Li制成。