[实用新型]一种III‑V族半导体MOSHEMT器件有效
| 申请号： | 201720041157.8 | 申请日： | 2017-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN206422040U | 公开（公告）日： | 2017-08-18 |
| 发明（设计）人： | 李海鸥;马磊;李思敏;首照宇;李琦;王盛凯;陈永和;张法碧;肖功利;傅涛;李跃;常虎东;孙兵;刘洪刚 | 申请（专利权）人： | 桂林电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L29/778;H01L29/06;H01L29/20 |
| 代理公司： | 桂林市持衡专利商标事务所有限公司45107 | 代理人： | 陈跃琳 |
| 地址： | 541004 广西*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 iii 半导体 moshemt 器件 | ||
1.一种III-V族半导体MOSHEMT器件，其特征是，包括单晶衬底(101)、变In组分InxAl1-xAs缓冲层(102)、In0.52Al0.48As缓冲层(103)、第一层In0.7Ga0.3As沟道层(105)、第二层In0.6Ga0.4As沟道层(106)、第三层In0.5Ga0.5As沟道层(107)、In0.52Al0.48As势垒层(109)、窄带隙欧姆接触层(110)、源漏金属(111)、栅介质(112)和栅金属(113)；
单晶衬底(101)、变In组分InxAl1-xAs缓冲层(102)、In0.52Al0.48As缓冲层(103)、第一层In0.7Ga0.3As沟道层(105)、第二层In0.6Ga0.4As沟道层(106)、第三层In0.5Ga0.5As沟道层(107)、In0.52Al0.48As势垒层(109)和窄带隙欧姆接触层(110)自下而上依次叠放；
窄带隙欧姆接触层(110)的中间部分开设有有源区；源漏金属(111)设置在窄带隙欧姆接触层(110)，源漏金属(111)的中间部分开设有栅槽；栅介质(112)填充在有源区和栅槽中；栅金属(113)呈T形，其下部嵌入栅介质(112)中。
2.根据权利要求1所述一种III-V族半导体MOSHEMT器件，其特征是：In0.52Al0.48As缓冲层(103)的上部设有第一平面掺杂层(104)。
3.根据权利要求1所述一种III-V族半导体MOSHEMT器件，其特征是：第三层In0.5Ga0.5As沟道层(107)的上部设有第二平面掺杂层(108)。
4.根据权利要求1所述的一种III-V族半导体MOSHEMT器件，其特征是，单晶衬底(101)为GaAs族的单晶衬底(101)。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
