[实用新型]一种具有汇聚滤波功能的单光子偏振成像阵列有效
申请号: | 201720046956.4 | 申请日: | 2017-01-16 |
公开(公告)号: | CN207165573U | 公开(公告)日: | 2018-03-30 |
发明(设计)人: | 李倩;李沫;陈飞良;康健彬;王旺平;黄锋;张晖;李俊泽;张健 | 申请(专利权)人: | 中国工程物理研究院电子工程研究所 |
主分类号: | H01L27/148 | 分类号: | H01L27/148 |
代理公司: | 成都天嘉专利事务所(普通合伙)51211 | 代理人: | 蒋斯琪 |
地址: | 621999 四*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 具有 汇聚 滤波 功能 光子 偏振 成像 阵列 | ||
1.一种具有汇聚滤波功能的单光子偏振成像阵列,其特征在于:整体结构为二维周期性排列的偏振探测单元,其中每个偏振探侧单元包括单光子探测器组(1)及个具有不同偏振方向的汇聚耦合结构(2)、(3)、(4)、(5),每两个相邻汇聚耦合结构的偏振方向相差45度。
2.根据权利要求1所述的具有汇聚滤波功能的单光子偏振成像阵列,其特征在于:所述单光子探测器组(1)包括四个单光子探测器(11)及四个对应的衬底(12),所述每个单光子探测器(11)设置于衬底(12)内或底部。
3.根据权利要求2所述的具有汇聚滤波功能的单光子偏振成像阵列,其特征在于:所述每个单光子探测器(11)包括超导纳米线单光子探测阵列或单光子雪崩探测器,衬底(12)的材质为硅、蓝宝石片、磷化铟、氮化镓、砷化镓中的任意一种。
4.根据权利要求1所述的具有汇聚滤波功能的单光子偏振成像阵列,其特征在于:所述汇聚耦合结构(2)、(3)、(4)、(5)的偏振方向分别为水平、右倾45度、垂直和左倾45度。
5.根据权利要求1所述的具有汇聚滤波功能的单光子偏振成像阵列,其特征在于:所述汇聚耦合结构(2)、(3)、(4)、(5)均是相同结构,每一个汇聚耦合结构包括有上层金属光栅层(41)、透明介质汇聚层(42)、金属阻挡层(43)和下层金属反射出光层(44);所述透明介质汇聚层(42)位于上层金属光栅层(41)和下层金属反射出光层(44)之间,所述金属阻挡层(43)位于上层金属光栅层(41)、透明介质汇聚层(42)和下层金属反射出光层(44)的两侧面。
6.根据权利要求5所述的具有汇聚滤波功能的单光子偏振成像阵列,其特征在于:所述上层金属光栅层(41)为线宽为s、周期为p、厚度为h1的一维周期排列的金属线条光栅,其材质为金属材料金、或者银、或者铝。
7.根据权利要求5所述的具有汇聚滤波功能的单光子偏振成像阵列,其特征在于:所述透明介质汇聚层(42)为对于入射波长无吸收的透明介质,材料为二氧化硅或者氮化硅。
8.根据权利要求5所述的具有汇聚滤波功能的单光子偏振成像阵列,其特征在于:所述金属阻挡层(43)的材质为金属材料金,或者银,或者铝。
9.根据权利要求5所述的具有汇聚滤波功能的单光子偏振成像阵列,其特征在于:所述下层金属反射出光层(44)是在厚度为h3的金属层中开设有出光孔,所述下层金属反射出光层(44)的材质为金属材料金、或者银、或者铝;所述下层金属反射出光层(44)的出光孔的金属条纹宽度与上层金属光栅层(41)的宽度s相近,出光孔已沿光栅方向为耦合腔方向。
10.根据权利要求5所述的具有汇聚滤波功能的单光子偏振成像阵列,其特征在于:所述上层金属光栅层(41)的周期p的数值为探测波长的二分之一到十分之十,线宽s的数值为探测波长的四分之一到二分之一之间,厚度h1和厚度h3的值等于或大于以微米为单位的探测波长的平方根的0.0096倍。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的