[实用新型]一种基于太赫兹波衰减全反射成像的脑创伤组织检测装置有效

专利信息
申请号: 201720047159.8 申请日: 2017-01-16
公开(公告)号: CN206852585U 公开(公告)日: 2018-01-09
发明(设计)人: 王与烨;徐德刚;陈图南;冯华;刘宏翔;赵恒立;姚建铨 申请(专利权)人: 天津大学
主分类号: A61B5/00 分类号: A61B5/00
代理公司: 天津市北洋有限责任专利代理事务所12201 代理人: 李林娟
地址: 300072*** 国省代码: 天津;12
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 赫兹 衰减 全反射 成像 创伤 组织 检测 装置
【权利要求书】:

1.一种基于太赫兹波衰减全反射成像的脑创伤组织检测装置,包括:太赫兹源,其特征在于,

所述太赫兹源发射的太赫兹波入射到与太赫兹波成一定角度的太赫兹分光镜,太赫兹波的一部分经所述太赫兹分光镜反射后入射至与计算机控制系统输入端相连接的第一太赫兹探测器;

经太赫兹分光镜透射的太赫兹波作为脑组织样品检测时的入射光,依次经过第一太赫兹非球面透镜、用于放置脑组织样品的全反射棱镜、第二太赫兹非球面透镜,最终被第二太赫兹探测器探测;

全反射棱镜固定于二维移动平台上,计算机控制系统接收第一太赫兹探测器与第二太赫兹探测器接收到的数据、及二维移动扫描平台的移动信息。

2.根据权利要求1所述的一种基于太赫兹波衰减全反射成像的脑创伤组织检测装置,其特征在于,所述太赫兹源发射的太赫兹波的频率范围为0.1THz—30THz。

3.根据权利要求1所述的一种基于太赫兹波衰减全反射成像的脑创伤组织检测装置,其特征在于,所述全反射棱镜的上表面中心处于太赫兹波经第一太赫兹透镜聚焦的焦点处。

4.根据权利要求1所述的一种基于太赫兹波衰减全反射成像的脑创伤组织检测装置,其特征在于,所述全反射棱镜的材料为高阻硅或锗材质。

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