[实用新型]一种显示面板及显示装置有效

专利信息
申请号: 201720055827.1 申请日: 2017-01-16
公开(公告)号: CN206363047U 公开(公告)日: 2017-07-28
发明(设计)人: 赵艳艳;徐敬义;唐富强;任艳伟;张琨鹏;刘宇;王跃林 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
主分类号: G02F1/1335 分类号: G02F1/1335;G02F1/1333
代理公司: 北京同达信恒知识产权代理有限公司11291 代理人: 黄志华
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 显示 面板 显示装置
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板及显示装置。

背景技术

液晶显示面板的抗静电性能是衡量显示面板质量的一个重要指标,显示面板抗静电性能的改善,有利于提高面板性能,满足客户端可靠性测试要求。

现有的一种显示面板,如图1所示,包括相对设置的阵列基板1和彩膜基板2。其中,阵列基板1包括与彩膜基板2相对的对盒区和位于对盒区一侧的电路测试区。对盒时,阵列基板1与彩膜基板2通过封框胶3封装边框区域。其中,彩膜基板2包括玻璃基板21,在玻璃基板21面向阵列基板的一侧依次设置有导电黑矩阵22,平坦层23和液晶取向层24。为了改善显示面板的抗静电性能,设置导电黑矩阵22边缘外切(即边缘突出于玻璃基板21),导电黑矩阵22外切的边缘与电学测试区连接的Ag胶点4接触,从而可以将面板内部的静电通过电学测试区接地(Ground,GND)线(如图1所示的源极引线11)释放。但是,由于导电黑矩阵22外切有限,与Ag胶点4不能充分接触,导致静电释放效果不明显。

实用新型内容

本实用新型实施例的目的是提供一种显示面板及显示装置,用于提高静电释放效果。

本实用新型实施例的目的是通过以下技术方案实现的:

一种显示面板,包括相对而置的阵列基板和对向基板;其中,阵列基板包括与所述对向基板相对的对盒区域和位于所述对盒区域一侧的电路测试区域;所述对向基板包括衬底基板、在所述衬底基板面向所述阵列基板的一侧设置的导电黑矩阵;该显示面板还包括分别与所述导电黑矩阵和所述电路测试区域GND走线电连接的静电释放层;

所述导电黑矩阵至少在与所述静电释放层接触区域具有厚化区;所述导电黑矩阵的厚化区的厚度大于厚化区以外区域的厚度。

较佳地,在靠近所述电路测试区域的侧边上,所述导电黑矩阵的厚化区突出于所述衬底基板。

较佳地,所述导电黑矩阵在沿着远离所述电路测试区域的其余侧边上具有防止外部静电的挖槽;

所述导电黑矩阵的厚化区包围所述挖槽。

较佳地,所述对向基板还包括:与所述导电黑矩阵层叠设置的平坦层。

较佳地,所述平坦层仅与所述导电黑矩阵在所述挖槽包围的区域层叠设置;

所述导电黑矩阵的厚化区的厚度,等于所述导电黑矩阵在所述挖槽包围的区域内的厚度与所述平坦层的厚度之和。

较佳地,所述导电黑矩阵的厚化区的厚度的范围是1.8μm~2.2μm。

较佳地,所述静电释放层为导电胶。

较佳地,所述导电胶为Ag胶点。

较佳地,所述对向基板为彩膜基板。

一种显示装置,包括如以上任一项所述的显示面板。

本实用新型实施例的有益效果如下:

本实用新型实施例提供的显示面板及显示装置中,导电黑矩阵设置有厚化区,一方面,该厚化区与静电释放层接触,增加了二者的接触面积,电阻降低,进而加速了电荷移动,提高了静电释放效果,提高了抗静电能力,另一方面,导电黑矩阵本身厚度增加,电阻降低,也有利于静电释放,提高抗静电能力。

附图说明

图1为现有技术中的一种显示面板的结构示意图;

图2为本实用新型实施例提供的一种显示面板的结构示意图之一;

图3为本实用新型实施例提供的一种显示面板的结构示意图之二;

图4为本实用新型实施例提供的一种显示面板的结构示意图之三;

图5为本实用新型实施例提供的一种显示面板的结构示意图之四。

具体实施方式

为了提高静电释放效果,本实用新型实施例提供一种显示面板及显示装置。本实用新型实施例提供的显示面板,包括相对而置的阵列基板和对向基板;其中,阵列基板包括与对向基板相对的对盒区域和位于对盒区域一侧的电路测试区域;对向基板包括衬底基板、在衬底基板面向阵列基板的一侧设置的导电黑矩阵;该显示面板还包括分别与导电黑矩阵和电路测试区域GND走线电连接的静电释放层;导电黑矩阵至少在与静电释放层接触区域具有厚化区;导电黑矩阵的厚化区的厚度大于厚化区以外区域的厚度。

其中,电路测试区域主要是用于设置单元测试(Cell Test)电路的区域。

本实用新型实施例中,导电黑矩阵设置有厚化区,一方面,该厚化区与静电释放层接触,增加了二者的接触面积,电阻降低,进而加速了电荷移动,提高了静电释放效果,提高了抗静电能力,另一方面,导电黑矩阵本身厚度增加,电阻降低,也有利于静电释放,提高抗静电能力。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司,未经京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201720055827.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top