[实用新型]半导体设备

权利要求书

1.一种半导体设备，其特征在于，包括至少一反应腔，所述反应腔连接一用于向所述反应腔通入反应气体的反应气体进气管道，所述反应气体进气管道的一端连接一用于向所述反应气体进气管道通入吹扫气体的吹扫气体进气通道，所述反应气体进气管道的另一端连接一吹扫气体出气通道的一端。

2.如权利要求1所述的半导体设备，其特征在于，当所述反应气体进气管道不向所述反应腔通入所述反应气体时，所述吹扫气体进气通道向所述反应气体进气管道通入所述吹扫气体。

3.如权利要求2所述的半导体设备，其特征在于，所述半导体设备还包括一传输腔，所述传输腔与所述反应腔通过一缝阀连接。

4.如权利要求3所述的半导体设备，其特征在于，所述半导体设备还包括一用于控制所述缝阀移动的第一管道，所述第一管道连接所述缝阀，当所述第一管道向所述缝阀吹气时，所述缝阀导通所述传输腔与所述反应腔。

5.如权利要求4所述的半导体设备，其特征在于，所述半导体设备还包括一用于控制所述缝阀移动的第二管道，所述第二管道连接所述缝阀，当所述第二管道向所述缝阀通气时，所述缝阀关闭所述传输腔与所述反应腔之间的导通。

6.如权利要求4所述的半导体设备，其特征在于，所述半导体设备还包括一第三管道，所述第三管道的第一端导通所述第一管道，所述第三管道的第二端连接一第一开关，所述第一开关用于控制所述吹扫气体进气通道向所述反应气体进气管道通入所述吹扫气体，当所述第一管道向所述缝阀吹气时，所述第一开关打开，所述吹扫气体进气通道向所述反应气体进气管道通入所述吹扫气体。

7.如权利要求6所述的半导体设备，其特征在于，所述第一开关位于所述吹扫气体进气通道上。

8.如权利要求6所述的半导体设备，其特征在于，所述半导体设备还包括一抽气泵，所述吹扫气体出气通道的另一端连接所述抽气泵，所述第三管道的第三端连接一第二开关，所述第二开关用于控制所述吹扫气体出气通道和所述抽气泵之间的导通，当所述第一管道向所述缝阀吹气时，所述第二开关打开，所述抽气泵对所述吹扫气体出气通道抽气。

9.如权利要求8所述的半导体设备，其特征在于，所述第二开关位于所述吹扫气体出气通道上。

10.如权利要求3所述的半导体设备，其特征在于，所述半导体设备包括多个所述反应腔，多个所述反应腔分别通过一个所述缝阀与所述传输腔连接。

11.如权利要求3所述的半导体设备，其特征在于，所述反应腔与所述缝阀通过一环形接口连接，所述环形接口具有一排气通道，所述排气通道用于导通所述环形接口的内壁和外壁。

12.如权利要求11所述的半导体设备，其特征在于，所述排气通道包括多个出气口。

13.如权利要求12所述的半导体设备，其特征在于，所述出气口的出气方向面向所述缝阀。

14.如权利要求12所述的半导体设备，其特征在于，多个所述出气口在所述环形接口的内壁均匀排列。

15.如权利要求12所述的半导体设备，其特征在于，所述排气通道还包括一个进气口和一个气道，所述进气口的一端连接所述气道，所述进气口的另一端导通所述环形接口的外壁，所述气道连接所述出气口。

16.如权利要求15所述的半导体设备，其特征在于，所述气道为环形。

17.如权利要求15所述的半导体设备，其特征在于，所述半导体设备还包括一用于向所述进气口通入的另一吹扫气体的吹气管道。

18.如权利要求17所述的半导体设备，其特征在于，所述另一吹扫气体为氮气或钝性气体。

19.如权利要求1所述的半导体设备，其特征在于，所述反应气体进气管道的进气端连接所述吹扫气体进气通道，所述反应气体进气管道的出气端连接所述吹扫气体出气通道。

20.如权利要求18所述的半导体设备，其特征在于，所述反应气体进气管道的出气端还连接所述反应腔。

21.如权利要求1所述的半导体设备，其特征在于，所述吹扫气体为氮气或钝性气体。

22.如权利要求1至21中任意一项所述的半导体设备，其特征在于，所述半导体设备为金属有机化学气相沉淀设备。