[实用新型]生产金刚石的籽晶承载盘

说明书

技术领域

本实用新型涉及用于微波等离子体化学气相沉积法生长金刚石单晶的新型籽晶承载盘。

背景技术

金刚石是世界上最硬的材料,具有极低的热膨胀系数,高热导率,宽禁带,良好的光透过率等优异性能。非常适合做光学窗口和光学透镜的保护膜,金刚石膜也可用做大功率激光器件。

其中，微波等离子体化学气相沉积法生长金刚石单晶是一种方法。

实用新型内容

本实用新型提供了一种生产金刚石的籽晶承载盘，包括基台，所述基台上放置一籽晶承载盘，所述籽晶承载盘的中心端面开设有凹陷部，所述凹陷部大于等于2个，且所述凹陷部的下部和中部均呈倒梯形状。

可选地，所述承载盘的直径为25～30mm，高度为20～25mm。

可选地，所述凹陷部的数量为2个。

可选地，所述凹陷部的中部倒梯形上边长为12.5-13.5mm，下边长为7.5-8.5mm，所述凹陷部的下部倒梯形的上边长为为7.5-8.5mm，下边长为2.5-3.5mm。

可选地，所述凹陷部的总深度为1.5～2.8mm。

本实用新型提供的籽晶承载盘形成的金刚石单晶形状对称，边缘圆润。

附图说明

图1是本实用新型单个籽晶承载盘的剖视图；

具体实施方式

下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本实用新型的技术方案。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本实用新型，而非对本实用新型的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本实用新型相关的部分而非全部内容。

图式中相同的号码代表相同或相似的组件。另一方面，众所周知的组件与步骤并未描述于实施例中，以避免对本实用新型造成不必要的限制。

如图1所示，一种用于生长金刚石单晶的籽晶承载盘103，用于微波等离子体化学气相沉积装置的谐振腔腔体内，置于谐振腔腔体内的基台102上，其中，籽晶承载盘103的中心端面开设有凹陷部104，所述凹陷部4出口端与籽晶承载盘3端面所在水平面是由斜面105过渡连接，所述凹陷部104大于等于1个。所述籽晶承载盘3呈圆柱状，且所述凹陷部104为阶梯孔状。当所述凹陷部104为1个时，位于承载盘上端的中心部位；所述凹陷部104为多个时，对称分布在籽晶承载盘103上端的中心部位。所述承载盘103的直径为25～30mm，高度为20～25mm，发明人经试验研究，当直径和高度超出该范围以外时，金刚石单晶的生长会畸形化。所述凹陷部104形状由两种立体形状组合而成，所述凹陷部104的下部和中部均呈倒梯形状，发明人也做了正四边形的试验，发现形成的金刚石单晶边缘处的圆润度较差。凹陷部104沿垂直方向的横截面为由两个上下相连的倒梯形形成，其中，上倒梯形的上边长为12.5-13.5mm，上倒梯形的下变长与下倒梯形的上边长相等，为7.5-8.5mm，也可将下倒梯形的上边长设置得小于上倒梯形的下变长，下倒梯形的下边长为2.5-3.5mm，其中，凹陷部104的总深度为1.5～2.8mm。

本实用新型的籽晶承载盘103采用钼质材料制作而成，承载盘呈圆柱状，其中心部位加工出一个斜面-水平-斜面复合型凹陷部。籽晶承载盘103主要用于微波等离子体化学气相沉积设备的谐振腔腔体1内，籽晶承载盘103放在基台102的上面，等离子体球106位于籽晶承载盘103的上面。籽晶承载盘103的直径为27mm，高度为22mm。凹陷部104下部的形状为倒梯形状，深度为2.3mm。

本实用新型还可有其它多种实施例，在不背离本实用新型精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员当可根据本实用新型作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本实用新型所附的权利要求的保护范围。

以上仅为本实用新型的较佳实施例，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。