[实用新型]CMOS图像传感器封装结构有效
申请号: | 201720071204.3 | 申请日: | 2017-01-20 |
公开(公告)号: | CN206441717U | 公开(公告)日: | 2017-08-25 |
发明(设计)人: | 黄志涛 | 申请(专利权)人: | 惠州市超芯微精密电子有限公司 |
主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L27/146;H01L23/367 |
代理公司: | 惠州市超越知识产权代理事务所(普通合伙)44349 | 代理人: | 卢浩 |
地址: | 516000 广东省惠*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | cmos 图像传感器 封装 结构 | ||
技术领域
本实用新型涉及电子设备封装技术领域,特别是涉及一种CMOS图像传感器封装结构。
背景技术
目前现有技术的前置式CMOS影像传感器的应用集中在500万像素以下,随着智慧手机等的应用,前置式( Front-facing )技术的与时俱进,像素微小化以及先进制程的技术突破,带动了CMOS影像传感器高像素的市场,而芯片级封装( CSP:Chip Scale Packaged )高像素CMOS影像传感器封装会有技术的缺陷及瓶颈,板上芯片( COB:Chip On Board )封装必定是趋势。
然而,目前的CMOS图像传感器的封装结构的热稳定性不佳,大部分都是采用胶粘或者是焊接的方式进行封装,残留下胶剂、锡珠、助焊剂很容易跑到CMOS影像传感器上面,清洁非常困难或无法清洁,这样在影像输出会产生污点等不良现象。随着现代科技的不断进步,对于图像传感器的要求了图像传感器更高的适配性能,尤其是其对光线的敏感度有待进一步提高,目前的CMOS图像传感器的封装结构对于传感器光线的敏感度的提高的优化尚有不足。
实用新型内容
有鉴于此,为解决背景技术中的技术问题,本实用新型提供一种CMOS图像传感器封装结构,本实用新型的封装结构采用机械式的固定方式,可满足长期稳定使用的要求,并对于封装结构的热稳定性有明显的改善;并针对CMOS图像传感器的光敏感度方面做了深度优化,能够显著提高传感器的光敏感性能。
本实用新型的技术方案为:一种CMOS图像传感器封装结构,包括感光传感器和封装件,其特征在于:所述封装件包括基座和板盖,所述基座包括底座、设置在底座上方中心区域的安装槽、在底座上方两侧延伸的卡块,所述卡块的下方设有滑槽,所述滑槽与板盖配合连接;所述感光传感器依次设有基板、惰性金属层和第一导电层,所述第一导电层呈螺旋状排布在惰性金属层上方。
进一步的,所述第一导电层为光敏金属层。优选的,本实用新型的光敏金属层为铯金属层,以及提供优异的光学敏感性能。
进一步的,所述基板为透明材质层,所述透明材质材料层可为透明陶瓷层、玻璃层、有机玻璃层、蓝宝石层中的任一种。特别的所述基板设有导通孔与安装槽连通。
进一步的,所述安装槽的水平截面为圆形或椭圆形。
进一步的,所述板盖为透明板盖。
进一步的,所述板盖下方设有聚光层。通过此板盖结构,能够使封装结构将外界的光源聚集到传感器的表面,进一步提高传感器对外界的光学敏感性。
进一步的,所述板盖安装到卡块滑槽内部后,板盖的聚光层的下底面与基座底座的上表面相抵。通过这种方式,在将感光传感器安装到安装槽后,不仅实现了板盖与基座座之间的密封,还可以通过板盖显著增加传感器的光学敏感性能。
进一步的,所述底座依次包括安装层、第二导电层、散热层,所述安装层的中心区域设有安装槽,所述安装槽内部位于所述第二导电层上方设有稳定层,所述稳定层内对称设有导电通孔,所述导电通孔分别感光传感器和第二导电层连接。本实用新型的底座不仅能够保持很好的导电性能,并能够通过稳定层和散热层的作用,具有很好的结构稳定性和热稳定性。优选的,本实用新型中的稳定层和散热层均为本领域任一现有技术的热导材料层,第二导电层为金属导电层。
进一步的,所述稳定层的厚度为300-600um。
进一步的,所述的第二导电层的厚度为0.75-1.25mm。
本实用新型的感光传感器,相比现有传感器对于光线的敏感度更高,同时具有优异的导电性能;本实用新型的封装结构,通过板盖的聚光作用,使光线更易透过并汇聚到CMOS图像传感器的感光层,即CMOS图像传感对光线的敏感度增加,进一步提高了CMOS图像传感器的性能;本实用新型的底座不仅能够保持很好的导电性能,并能够通过稳定层和散热层的作用,具有很好的结构稳定性和热稳定性。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图;
图2为本实用新型的结构示意图;
图3为本实用新型的结构示意图;
图4为本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
下面将对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
实施例1
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