[实用新型]用于半导体处理腔室的双通道喷头有效
| 申请号： | 201720076104.X | 申请日： | 2016-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN206727059U | 公开（公告）日： | 2017-12-08 |
| 发明（设计）人： | K·阿拉亚瓦里;韩新海;P·P·贾;M·绪方;Z·蒋;A·柯;N·O·木库提;T·布里彻;A·K·班塞尔;G·巴拉苏布拉马尼恩;J·C·罗查-阿尔瓦内兹;金柏涵 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01J49/16 | 分类号： | H01J49/16;C23C24/08;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人： | 金红莲 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 处理 双通道 喷头 | ||
1.一种用于半导体处理腔室的双通道喷头，所述双通道喷头包括：
主体，所述主体包括导电材料，
所述导电材料具有穿过所述导电材料形成的多个第一开口和穿过所述导电材料形成的多个第二开口，所述多个第一开口的每一个具有与所述第二开口中的每一个不同的几何形状，且所述多个第一开口和所述多个第二开口内散布有盲锥孔。
2.如权利要求1所述的双通道喷头，其特征在于，所述多个第一开口和所述多个第二开口中的每一个包括展开的开口，并且所述第一开口的所述展开的开口具有与所述第二开口的所述展开的开口不同的几何形状。
3.如权利要求2所述的双通道喷头，其特征在于，所述第二开口的所述展开的开口的长度小于所述第一开口的所述展开的开口的长度。
4.如权利要求2所述的双通道喷头，其特征在于，所述第一开口和第二开口中的一者或两者的所述展开的开口包括粗糙表面。
5.如权利要求2所述的双通道喷头，其特征在于，所述第一开口和第二开口中的一者或两者的所述展开的开口包括涂层。
6.如权利要求2所述的双通道喷头，其特征在于，所述第一开口和第二开口中的一者或两者的所述展开的开口包括圆角。
7.如权利要求1所述的双通道喷头，其特征在于，所述多个第一开口的每一个与所述多个第二开口流体地分离。
8.如权利要求1所述的双通道喷头，其特征在于，所述盲锥孔在所述主体的中心区域形成。
9.一种用于半导体处理腔室的双通道喷头，所述双通道喷头包括：
主体，所述主体包括导电材料，
所述导电材料具有穿过所述导电材料形成的多个第一开口和穿过所述导电材料形成的多个第二开口，所述第一开口的每一个具有与所述第二开口中的每一个不同的几何形状，其中所述多个第一开口的每一个和所述多个第二开口的每一个包括展开的部分，且在所述多个第一开口和所述多个第二开口内散布有盲锥孔。
10.如权利要求9所述的双通道喷头，其特征在于，所述多个第一开口的所述展开的部分具有的几何形状不同于所述第二开口的所述展开的部分具有的几何形状。
11.如权利要求9所述的双通道喷头，其特征在于，所述多个第一开口的每一个与所述多个第二开口流体地分离。
12.如权利要求9所述的双通道喷头，其特征在于，所述主体包括在所述多个第一开口和所述多个第二开口内散布的盲锥孔。
13.如权利要求9所述的双通道喷头，其特征在于，所述第一开口和第二开口中的一者或两者的所述展开的开口包括涂层。
14.一种用于半导体处理腔室的双通道喷头，所述双通道喷头包括：
主体，所述主体包括导电材料，
所述导电材料具有穿过所述导电材料形成的多个第一开口和穿过所述导电材料形成的多个第二开口，所述多个第一开口的每一个具有与所述第二开口中的每一个不同的几何形状，其中所述多个第一开口的每一个和所述多个第二开口的每一个包括展开的部分，且所述多个第一开口的所述展开的部分具有的几何形状不同于所述第二开口的所述展开的部分的几何形状，且在所述多个第一开口和所述多个第二开口内散布有盲锥孔。
15.如权利要求14所述的双通道喷头，其特征在于，所述多个第一开口的每一个与所述多个第二开口流体地分离。
16.如权利要求14所述的双通道喷头，其特征在于，所述第一开口和第二开口中的一者或两者的所述展开的开口包括涂层。
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