[实用新型]新型压接型功率模块有效

专利信息
申请号: 201720080813.5 申请日: 2017-01-22
公开(公告)号: CN206672930U 公开(公告)日: 2017-11-24
发明(设计)人: 杨冬伟 申请(专利权)人: 嘉兴斯达半导体股份有限公司
主分类号: H01L25/07 分类号: H01L25/07;H01L23/48
代理公司: 杭州九洲专利事务所有限公司33101 代理人: 翁霁明
地址: 314006 浙*** 国省代码: 浙江;33
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 新型 压接型 功率 模块
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及的是一种新型压接型功率模块,属于电力电子领域的功率模块封装技术。

背景技术

作为一种功率元器件,功率模块应用于各种大功率开关电源、高频感应加热电源等设备,在现有技术中,由于功率模块的封装方式不够完善、合理,因而存在一些诸如产品的集成性、安全性和可靠性不够好,结构不够合理,生产成本高,安装和维护不方便。

发明内容

本实用新型的目的在于克服现有技术存在的不足,而提供一种通过压接方式封装成一体的工艺,提高产品集成性、安全性和可靠性,优化产品结构,简化生产工艺,降低生产成本,便于维护和安装的新型压接型功率模块。

本实用新型的目的是通过如下技术方案来完成的,一种新型压接型功率模块,主要包括圆形晶闸管芯片、绝缘陶瓷片、散热铜基板、功率端子、压块、信号引架、信号引线、塑料外壳、硅凝胶、钼片、密封胶,所述的塑料外壳与散热铜基板通过密封胶粘接在一起,所述的功率端子、钼片、圆形晶闸管芯片以及陶瓷片置于散热铜基板的上表面并用橡胶圈定位,所述的圆形晶闸管芯片上表面置有大功率端子并轻微固定并压紧,所述圆形晶闸管芯片的门极和E极的信号引线卡于信号引架相应位置,并水平置于大功率端子的表面,信号引线将圆形晶闸管芯片的门极和E极引出至信号支架和信号端子,将压块置于信号引架表面,用螺丝拧紧,所述的塑料外壳内的散热铜基板上面覆盖有绝缘硅凝胶。

作为优选:所述的圆形晶闸管芯片的上下表面分别与功率端子和大功率端子通过钼片经压接方式连接在一起,并组成半桥型功率回路;功率端子与铜基板之间采用陶瓷片通过压接的方式安装,形成绝缘层和散热层,芯片表面通过信号引架和信号引线组件将信号引出至信号端子。

作为优选:所述的功率端子和大功率端子采用3mm的纯铜或者铜合金材料冲压而成,表层裸铜或者电镀金、锡、银金属材料,功率端子和大功率端子与圆形晶闸管芯片压接的平面通过机加工方式制成0.03mm的平整度。

作为优选:塑料外壳采用耐高温,绝缘性能良好的PBT、PPS或尼龙塑料,并且设置有储胶槽,防端子脱落结构,防端子误装结构;所述的信号引线通过信号引架和弹簧与圆形晶闸管芯片8的表面接触,并通过压接方式固定后将信号线引至信号支架;所述的信号引架采用PPS材料制成高强度结构,中间设置有固定信号引线的开孔;所述的压块材料用钢经热处理后获得一定的硬度,表面有用于固定预紧作用的弧度。

本实用新型采用一组晶闸管芯片,通过压接方式封装成一体的工艺,提高产品集成性、安全性和可靠性,优化产品结构,简化生产工艺,降低生产成本,大大提高了市场竞争力。由于电路的联接全部在模块内部完成,因此,缩短了元器件之间的连线长度,可实现优化布线和对称性结构的设计,使装置线路的寄生电感和电容参数大大降低。此外,还具有结构紧凑、生产工艺简单,生产成本低,外接线简单、便于维护和安装等优点,因而大大降低装置的重量和成本,且模块的功率端子与散热铜板之间具有极高的绝缘耐压,使之能与装置内多种模块共同安装在一个散热器上,有利于装置体积的进一步缩小,简化装置的结构设计。

附图说明

图1是本实用新型的分解结构示意图。

图2是本实用新型的立体结构示意图。

具体实施方式

下面将结合附图对本实用新型作详细的介绍:图1、2所示,本实用新型所述的一种新型压接型功率模块,主要包括圆形晶闸管芯片8、绝缘陶瓷片10、散热铜基板11、功率端子2、压块3、信号引架4、信号引线5、塑料外壳12、硅凝胶、钼片9、密封胶,其特所述的塑料外壳12与散热铜基板11通过密封胶粘接在一起,所述的功率端子2、钼片9、圆形晶闸管芯片8以及陶瓷片10置于散热铜基板11的上表面并用橡胶圈定位,所述的圆形晶闸管芯片8上表面置有大功率端子7并轻微固定并压紧,所述圆形晶闸管芯片8的门极和E极的信号引线5卡于信号引架相应位置,并水平置于大功率端子7的表面,信号引线5将圆形晶闸管芯片8的门极和E极引出至信号支架和信号端子,将压块3置于信号引架表面,用螺丝拧紧,所述的塑料外壳12内的散热铜基板11上面覆盖有绝缘硅凝胶。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于嘉兴斯达半导体股份有限公司,未经嘉兴斯达半导体股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201720080813.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top