[实用新型]一种高强高导的承力索有效
申请号: | 201720087386.3 | 申请日: | 2017-01-23 |
公开(公告)号: | CN206471128U | 公开(公告)日: | 2017-09-05 |
发明(设计)人: | 金良赞;赵金伦;詹国立;刘科杰 | 申请(专利权)人: | 常州安凯特电缆有限公司 |
主分类号: | H01B5/10 | 分类号: | H01B5/10 |
代理公司: | 南京天华专利代理有限责任公司32218 | 代理人: | 李德溅,夏平 |
地址: | 213025 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 高强 承力索 | ||
技术领域
本实用新型涉及电缆技术领域,具体地说是一种加强产品整体强度并提高整体导电率的高强高导的承力索。
背景技术
常规的铜及铜合金承力索一般为纯铜承力索或者铜镁合金承力索,产品材料单一。纯铜承力索的导电率高但抗拉强度较低,所能承受的张力较小。铜镁合金承力索的抗拉强度高但是导电率低,电力能源损失较多。
发明内容
本实用新型的目的是针对现有技术存在的问题,提供一种加强产品整体强度并提高整体导电率的高强高导的承力索。
本实用新型的目的是通过以下技术方案解决的:
一种高强高导的承力索,其特征在于:所述的承力索具有多层结构且相邻层的绞向相反,其中内层采用铜银合金单丝制成,表层采用高强度铜镁合金单丝绞合制成,且表层的绞制方向为Z向。
所述承力索的中心线为一根铜银合金单丝且中心线外的每层绞合单丝数量为6*(n-1)个,其中n为由内至外的层数。
所述的承力索为两层结构时,则内层依序为一根铜银合金单丝制成,表层为六根高强度铜镁合金单丝绞合制成。
所述的承力索为三层结构时,则内层为一根铜银合金单丝、六根铜银合金单丝绞合的双层结构,表层为十二根高强度铜镁合金单丝绞合制成。
所述的内层采用的铜银合金单丝的银含量为0.08~0.12%,且该铜银合金单丝的抗拉强度大于450MPa、导电率大于97%IACS。
所述表层采用的高强度铜镁合金单丝的镁含量为0.35~0.50%,且该高强度铜镁合金单丝的抗拉强度大于620MPa、导电率大于62%IACS。
所述表层的节径比范围为10~14。
该承力索每层的节径比由内向外逐渐减小。
本实用新型相比现有技术有如下优点:
本实用新型的内层采用银含量为0.08~0.12%的铜银合金单丝制成,铜银合金单丝的导电率与纯铜单丝的导电率相近,但铜银合金单丝的抗拉强度明显高于纯铜单丝,因此内层的铜银合金单丝的绞合结构的抗拉强度高于同规格的纯铜承力索,且内层采用铜银合金单丝使得产品的整体导电率高于同规格的铜镁合金承力索;表层采用高强度铜镁合金单丝绞合制成,加强了产品整体的强度,并确保了产品在运行时产生的高温下有足够的强度。
附图说明
附图1为本实用新型的高强高导的承力索结构示意图。
其中:1—内层;2—表层。
具体实施方式
下面结合附图与实施例对本实用新型作进一步的说明。
如图1所示:一种高强高导的承力索,该承力索具有多层结构且相邻层的绞向相反,其中内层1采用银含量为0.08~0.12%的铜银合金单丝制成,该铜银合金单丝的抗拉强度大于450MPa、导电率大于97%IACS;表层2采用镁含量为0.35~0.50%的高强度铜镁合金单丝绞合制成,该高强度铜镁合金单丝的抗拉强度大于620MPa、导电率大于62%IACS,且表层2的绞制方向为Z向。另外该承力索的表层2的节径比范围为10~14,且该承力索每层的节径比由内向外逐渐减小。
在上述结构中,承力索的中心线为一根铜银合金单丝且中心线外的每层绞合单丝数量为6*(n-1)个,其中n为由内至外的层数。当承力索为两层结构时,则内层1为一根铜银合金单丝制成,表层2为六根高强度铜镁合金单丝绞合制成;当承力索为三层结构时,则内层1依序为一根铜银合金单丝、六根铜银合金单丝绞合的双层结构,表层2为十二根高强度铜镁合金单丝绞合制成;当承力索为四层结构时(如附图1所示),则内层1依序为一根铜银合金单丝、六根铜银合金单丝绞合、十二根铜银合金单丝绞合的三层结构,表层2为十八根高强度铜镁合金单丝绞合制成。
本实用新型的内层1采用银含量为0.08~0.12%的铜银合金单丝制成,铜银合金单丝的导电率与纯铜单丝的导电率相近,但铜银合金单丝的抗拉强度明显高于纯铜单丝,因此内层1的铜银合金单丝的绞合结构的抗拉强度高于同规格的纯铜承力索,且内层1采用铜银合金单丝使得产品的整体导电率高于同规格的铜镁合金承力索;表层2采用高强度铜镁合金单丝绞合制成,加强了产品整体的强度,并确保了产品在运行时产生的高温下有足够的强度。
以上实施例仅为说明本实用新型的技术思想,不能以此限定本实用新型的保护范围,凡是按照本实用新型提出的技术思想,在技术方案基础上所做的任何改动,均落入本实用新型保护范围之内;本实用新型未涉及的技术均可通过现有技术加以实现。
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