[实用新型]一种改进的磁控溅射镀膜设备

说明书

技术领域

本实用新型涉及磁控溅射技术领域，具体为一种改进的磁控溅射镀膜设备。

背景技术

磁控溅射技术是在物理科学、材料科学领域中已广泛使用的实验和生产的表面改性技术。磁控溅射镀膜就是在真空中利用荷能粒子轰击靶表面，使被轰击出的粒子沉积在基片上的技术，是在建设的环境中加入磁场，利用磁场的洛伦兹力束缚阴极靶表面电子运动，导致轰击靶材的高能离子增多和轰击基片的高能电子减少，使镀膜过程具有低温高速等特点。

目前，市场上的磁控溅射镀膜装置中，通常使用的基片台都是单工位基片台，其结构简单，使用方便，但一个基片台上只能放置一个基片，因此其只能实现单靶单元膜的制备，当需要制备单元多层膜的时候，每做一次溅射实验，就需要换基片，抽本体真空，极浪费时间，影响效率。为解决上述问题，中国专利申请公开说明书CN 22923741Y 中，公开了多工位旋转样品台，其包括了放置基片的多工位基片插槽、基片夹和开有一个溅射孔的基片挡板，基片夹插入多工位基片插槽板的安装槽内，多工位基片插槽板上可以设置4至10个基片插槽；其通过在多靶共溅射镀膜装置中配备多工位的旋转样品台，做到只需要开一次腔体，换一次基片，抽一次本底真空，就可以对多个基片进行多次的溅射实验。但该对比文件不足的是，该装置多靶共溅射方式为多靶同时对一个工位进行溅射试验，仅能用于加工单靶单元膜和/或单元多层膜，无法实现多靶共溅多元膜，并且对于在制备其它工位上的样品时，已镀好的样品成分和特性会受到真空室内空气的影响，对于同批不同样品间的薄膜各组元的均匀性和一致性很难得到保证。

发明内容

本实用新型的目的在于提供一种能够满足制备多靶共溅多元膜、多基片镀膜要求的磁控溅射镀膜设备。

为实现本实用新型目的，本实用新型采用以下技术方案：一种改进的磁控溅射镀膜设备，包括真空室体、呈圆盘状的基片台，所述真空室体上方安装有动力装置，动力装置包括伺服电机和减速机构，伺服电机输出端穿过真空室体顶面设置，与伺服电机输出端相对的真空室体底面位置安装有一轴承，一连接轴穿过所述基片台中心且两端分别与动力装置输出端连接及固定于轴承上，所述连接轴与基片台螺纹连接，且通过预调螺母固定，所述基片台上沿其圆周方向均匀设置有若干个溅射孔，每个溅射孔与其外圆边相切设置有两平行的压板条，所述压板条通过调节螺栓固定在基片台上，所述真空室体底面上与基片台上溅射孔相对的位置固定设有至少一个靶座。

进一步地，在保证基片台转动时基片不会脱落、牢固度好的前提下，所述压板条靠近基片台的外圆周向设置，以保证基片能得到最多的溅射面。

进一步地，所述压板条用薄不锈钢板制作，其尺寸根据溅射孔大小调整，使其保证足够的刚度能稳妥地固定住基片，且便于安装、拆卸。

本实用新型结构理想、简单，通过对基片台的改进，在试验过程证实，改进后的镀膜设备能同时实现，一片基片在不同靶位下单靶或多靶共溅射镀膜以及在同一靶位下单靶或多靶共溅射镀膜，实现多靶共溅多元膜、单靶单元膜以及单元多层膜的制备，并且实现在只需要抽一次本底真空，就能一次对较多数量的基片进行同时多靶共溅射多元膜试验，从而，在保证了溅射成膜质量的基础上，不仅有效的拓展了样品台的利用效率，更好的满足了试验对样品数量、多元膜的均匀性及一致性的要求，同时还提高了试验效率，极大的降低了投资成本。

附图说明

图1为本实用新型第一种实施方式的结构示意图；

图2为本实用新型基片台的俯视图；

图3为为图1中局部I的放大结构示意图；

图4为本实用新型第二种实施方式的结构示意图。

具体实施方式

以下结合附图对本实用新型较佳实施例做详细描述。

图1至图3公开了本实用新型磁控溅射镀膜设备的第一种实施方式。