[实用新型]控制电容耦合等离子体工艺设备的边缘环的射频振幅

权利要求书

1.一种基板支撑件，所述基板支撑件包括：

静电卡盘，所述静电卡盘具有嵌入其中的一或多个卡紧电极以便将基板卡紧到所述静电卡盘；

陶瓷层，所述陶瓷层设置在所述静电卡盘上方；

陶瓷环，所述陶瓷环绕所述陶瓷层定位；

电极，所述电极嵌入在所述陶瓷环中；以及

可变电容器，所述可变电容器通过一或多个传输线耦接到所述电极。

2.如权利要求1所述的基板支撑件，其特征在于，嵌入在所述陶瓷环内的所述电极是环形的。

3.如权利要求1所述的基板支撑件，进一步包括：边缘环，所述边缘环设置在所述陶瓷环上并且与所述陶瓷环接触。

4.如权利要求3所述的基板支撑件，其特征在于，间隙保留在所述陶瓷环的上表面和与所述一或多个卡紧电极相邻的所述边缘环的下表面之间。

5.如权利要求1所述的基板支撑件，其特征在于，所述可变电容器电耦接到接地。

6.如权利要求1所述的基板支撑件，进一步包括：加热器，所述加热器定位于所述静电卡盘与所述陶瓷层之间。

7.如权利要求1所述的基板支撑件，其特征在于，所述陶瓷环包括二氧化硅或氮化硅。

8.一种处理腔室，所述处理腔室包括：

腔室主体；

盖，所述盖设置在所述腔室主体上；

电感耦合等离子体装置，所述电感耦合等离子体装置定位于所述盖上方；以及

基板支撑件，所述基板支撑件定位于所述腔室主体内，所述基板支撑件包括：

静电卡盘，所述静电卡盘具有嵌入其中的一或多个卡紧电极以便将基板卡紧到所述静电卡盘；

陶瓷层，所述陶瓷层设置在所述静电卡盘上方；

陶瓷环，所述陶瓷环绕所述陶瓷层定位；

电极，所述电极嵌入在所述陶瓷环中，所述电极通过一或多个传输线耦接到可变电容器。

9.如权利要求8所述的处理腔室，其特征在于，嵌入在所述陶瓷环内的所述电极是环形的。

10.如权利要求8所述的处理腔室，进一步包括：边缘环，所述边缘环设置在所述陶瓷环上并且与所述陶瓷环接触。

11.如权利要求10所述的处理腔室，其特征在于，间隙保留在所述陶瓷环的上表面和与所述一或多个卡紧电极相邻的所述边缘环的下表面之间。

12.如权利要求8所述的处理腔室，其特征在于，所述可变电容器电耦接到接地。

13.如权利要求8所述的处理腔室，进一步包括：加热器，所述加热器定位于所述静电卡盘与所述陶瓷层之间。

14.如权利要求8所述的处理腔室，其特征在于，所述陶瓷环包括二氧化硅或氮化硅。

15.如权利要求8所述的处理腔室，进一包括：偏压源，所述偏压源耦接到所述一或多个卡紧电极；及RF电源，所述RF电源耦接到所述电感耦合等离子体装置。

16.如权利要求8所述的处理腔室，其特征在于，所述一或多个传输线是三个传输线。

17.如权利要求16所述的处理腔室，其中所述一或多个传输线以等间隔耦接到嵌入在所述陶瓷环中的所述电极。

18.如权利要求8所述的处理腔室，其特征在于，嵌入在所述陶瓷环中的所述电极具有3毫米至20毫米的宽度。