[实用新型]一种静电放电保护电路、芯片及电子设备有效
申请号: | 201720091551.2 | 申请日: | 2017-01-22 |
公开(公告)号: | CN206480626U | 公开(公告)日: | 2017-09-08 |
发明(设计)人: | 殷强;熊正东;芦文 | 申请(专利权)人: | 建荣集成电路科技(珠海)有限公司;建荣半导体(深圳)有限公司;珠海煌荣集成电路科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 深圳市六加知识产权代理有限公司44372 | 代理人: | 宋建平 |
地址: | 519000 广东省珠海市吉大*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 静电 放电 保护 电路 芯片 电子设备 | ||
1.一种静电放电保护电路,其特征在于,包括:
用于加载静电电压并且输出第一电压的RC电路;
用于根据所述第一电压输出使能信号的逻辑电路,所述逻辑电路与所述RC电路连接;
用于根据所述使能信号泄放静电电压的开关电路,所述开关电路包括输入端、输出端及控制端,所述输入端用于加载所述静电电压,所述输出端接地,所述控制端与所述逻辑电路连接。
2.根据权利要求1所述的静电放电保护电路,其特征在于,所述开关电路包括寄生三极管,所述寄生三极管寄生于所述开关电路的输入端与输出端之间,并分别连接所述输入端和输出端。
3.根据权利要求2所述的静电放电保护电路,其特征在于,所述开关电路为MOS管,所述MOS管的漏极为所述输入端,源极为所述输出端,栅极为所述控制端,所述寄生三极管分别连接所述MOS管的漏极和源极。
4.根据权利要求3所述的电路,其特征在于,所述MOS管为P沟道MOS管或者N沟道MOS管。
5.根据权利要求1至4任一项所述的静电放电保护电路,其特征在于,所述RC电路包括电阻和电容,所述电阻的一端用于加载所述静电电压,所述电阻的另一端分别连接所述电容和所述逻辑电路的输入端,所述电容的一端连接所述电阻,所述电容另一端接地。
6.一种芯片,其特征在于,包括:焊盘、PCB板以及布设于所述PCB板上的静电放电保护电路,
其中,所述静电放电保护电路包括:
用于加载静电电压并且输出第一电压的RC电路;
用于根据所述第一电压输出使能信号的逻辑电路,所述逻辑电路与所述RC电路连接;
用于根据所述使能信号泄放静电电压的开关电路,所述开关电路包括输入端、输出端及控制端,所述输入端与所述焊盘连接,所述输出端接地,所述控制端与所述逻辑电路连接。
7.根据权利要求6所述的芯片,其特征在于,所述开关电路包括寄生三极管,所述寄生三极管寄生于所述开关电路的输入端与输出端之间,并分别连接所述输入端和输出端。
8.根据权利要求7所述的芯片,其特征在于,所述开关电路为MOS管,所述MOS管的漏极为所述输入端,源极为所述输出端,栅极为所述控制端,所述寄生三极管分别连接所述MOS管的漏极和源极。
9.根据权利要求6所述的芯片,其特征在于,所述RC电路包括电阻和电容,所述电阻的一端用于加载所述静电电压,所述电阻的另一端分别连接所述电容和所述逻辑电路的输入端,所述电容的一端连接所述电阻,所述电容另一端接地。
10.一种电子设备,其特征在于,包括如权利要求6至9任一项所述的芯片。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的