[实用新型]一种模块化多电平换流器子模块拓扑结构

权利要求书

1.一种模块化多电平换流器子模块拓扑结构，其特征在于：包括半桥逆变电路和电容C1，所述半桥逆变电路包括上半桥电路和下半桥电路，所述上半桥电路与下半桥电路连接，所述电容C1的一端与上半桥电路连接，所述电容C1的另一端与下半桥电路连接，所述上半桥电路包括上半桥开关管和晶体管MOSFET1，所述上半桥开关管与晶体管MOSFET1并联，所述下半桥电路包括下半桥开关管和晶体管MOSFET2，所述下半桥开关管与晶体管MOSFET2并联。

2.根据权利要求1所述的模块化多电平换流器子模块拓扑结构，其特征在于：所述上半桥开关管为由晶体管IGBT1和与晶体管IGBT1反并联的二极管D1组成，所述下半桥开关管为由晶体管IGBT2和与晶体管IGBT2反并联的二极管D2组成。

3.根据权利要求2所述的模块化多电平换流器子模块拓扑结构，其特征在于：所述晶体管IGBT1的集电极分别与晶体管MOSFET1的漏极、二极管D1的阴极和电容C1的一端连接，所述晶体管IGBT1的发射极分别与晶体管MOSFET1的源极、二极管D1的阳极、晶体管IGBT2的集电极、晶体管MOSFET2的漏极和二极管D2的阴极连接，所述晶体管IGBT2的发射极分别与晶体管MOSFET2的源极、二极管D2的阳极和电容C1的另一端连接。

4.根据权利要求3所述的模块化多电平换流器子模块拓扑结构，其特征在于：还包括IGBT1驱动器、IGBT2驱动器、MOSFET1驱动器和MOSFET2驱动器，所述IGBT1驱动器与晶体管IGBT1连接，所述IGBT2驱动器与晶体管IGBT2连接，MOSFET1驱动器与晶体管MOSFET1连接，MOSFET2驱动器与晶体管MOSFET2连接。