[实用新型]选择性背表面场的N型双面电池结构有效
申请号: | 201720093932.4 | 申请日: | 2017-01-24 |
公开(公告)号: | CN206907775U | 公开(公告)日: | 2018-01-19 |
发明(设计)人: | 李华;鲁伟明 | 申请(专利权)人: | 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/048 |
代理公司: | 南京正联知识产权代理有限公司32243 | 代理人: | 王素琴 |
地址: | 225300 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 选择性 表面 双面 电池 结构 | ||
1.一种选择性背表面场的N型双面电池结构,其特征在于:包括基体,基体为N型,基体正面为掺硼的发射极,发射极上沉积有第一钝化减反膜层,第一钝化减反膜层上设有正面电极,正面电极穿过第一钝化减反膜与发射极形成欧姆接触;基体背面设有磷掺杂的背场区域,磷掺杂的背场区域包括磷轻掺杂的背场区域和磷重掺杂的背场区域,磷重掺杂的背场区域和磷轻掺杂的背场区域相邻并均匀排布于背表面,磷掺杂的背场区域上沉积第二钝化减反膜层,第二钝化减反膜层上设有局部背面电极,局部背面电极在磷重掺杂背场区域内并穿过第二减反钝化膜与磷重掺杂的背场区域形成欧姆接触。
2.如权利要求1所述的选择性背表面场的N型双面电池结构,其特征在于:第一钝化减反膜采用SiNx薄膜、SiO2薄膜、TiO2薄膜、Al2O3薄膜、SiOxNy薄膜中的一种或者多种叠层构成,厚度为50-90nm;基体背面的第二钝化减反膜是SiNx薄膜、SiO2薄膜、TiO2薄膜、Al2O3薄膜、SiOxNy薄膜中的一种或者多种叠层构成,厚度为50-90nm。
3.如权利要求1所述的选择性背表面场的N型双面电池结构,其特征在于:基体背面的磷轻掺杂的背场区域方阻为90-250ohm/sq,基体背面的磷重掺杂背场区域方阻为10-50ohm/sq。
4.如权利要求1所述的选择性背表面场的N型双面电池结构,其特征在于:基体背面的磷重掺杂背场区域为直线或者线段,宽度为80微米-600微米,磷重掺杂背场区域占基体背面面积的比例为8%-30%。
5.如权利要求1-4任一项所述的选择性背表面场的N型双面电池结构,其特征在于:磷重掺杂背场区域为直线时,形成局部背面电极后,连接主栅将各个局部背面电极相互连接,连接主栅不与局部背场区域形成欧姆接触。
6.如权利要求5所述的选择性背表面场的N型双面电池结构,其特征在于:局部背面电极为直线,宽度为10-100μm,连接主栅宽度为0.5mm-1.5mm;连接主栅采用丝网印刷烧结、导电胶粘接或者金属线焊接而成。
7.如权利要求1-4任一项所述的选择性背表面场的N型双面电池结构,其特征在于:磷重掺杂背场区域为线段,形成局部背面电极后,连接细栅将各个局部背面电极相互连接,再汇流到连接主栅线上,连接细栅与连接主栅线均不与局部背场区域形成欧姆接触。
8.如权利要求7所述的选择性背表面场的N型双面电池结构,其特征在于:局部背面电极为线段,宽度为10-100μm,连接细栅宽度为20μm-100μm,连接主栅宽度为0.5mm-1.5mm;连接细栅和连接主栅分别采用丝网印刷烧结、导电胶粘接或者金属线焊接而成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的