[实用新型]一种二极管有效
| 申请号： | 201720103236.7 | 申请日： | 2017-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN206460960U | 公开（公告）日： | 2017-09-01 |
| 发明（设计）人： | 任现华;胡林辉;黄海涛 | 申请（专利权）人： | 上海新进半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 200233 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 二极管 | ||
【权利要求书】：
1.一种二极管，其特征在于，为NPN三极管；所述NPN三极管包括：三个N型源漏注入及一个P型源漏注入；其中：
所述P型源漏注入设置于所述NPN三极管的P型体区内，作为所述NPN三极管的基区；
一个所述N型源漏注入设置于所述NPN三极管N型阱区的边缘，紧靠所述P型源漏注入，作为所述NPN三极管的一个集电区；
另外一个所述N型源漏注入设置于所述P型体区内，紧靠所述P型源漏注入的另一端，作为所述NPN三极管的另一集电区；
第三个所述N型源漏注入设置于所述P型体区内，作为所述NPN三极管的发射区；
所述NPN三极管的两个集电区与所述基区通过金属短接作为所述二极管的阳极，所述NPN三极管的发射区作为所述二极管的阴极。
2.根据权利要求1所述的二极管，其特征在于，所述NPN三极管内的所述两个集电区及所述基区分别对称设置于所述NPN三极管内。
3.根据权利要求1或2所述的二极管，其特征在于，还包括：N型埋层及外延层。
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