[实用新型]感光元件及摄像装置有效
申请号: | 201720111310.X | 申请日: | 2017-02-06 |
公开(公告)号: | CN206546821U | 公开(公告)日: | 2017-10-10 |
发明(设计)人: | 东尚清;李碧洲 | 申请(专利权)人: | 艾普柯微电子(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京博思佳知识产权代理有限公司11415 | 代理人: | 林祥 |
地址: | 201203 上海市自由贸易试验*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 感光 元件 摄像 装置 | ||
技术领域
本申请涉及半导体技术领域,特别涉及一种感光元件及摄像装置。
背景技术
随着AR(Augmented Reality,增强现实技术)、VR(Virtual Reality,虚拟现实)、手势识别等技术的兴起,对3D TOF(Time of Flight,飞行时间)摄像装置中测距传感器的光信号接收阵列规模要求越来越高。其中,测距传感器通过计算光线发射和反射相位差,来换算与被拍摄景物之间的距离,以产生深度信息,形成3D成像。
但是,如果仅仅提高光信号接收阵列规模,比如,光信号接收阵列规模为QVGA(Quarter Video Graphics Array,四分之一的视频图形阵列)的3D TOF摄像装置,帧率会被降低,而太低的帧率不能满足对摄像对象动作的捕捉需求。
实用新型内容
有鉴于此,本申请实施例提供一种感光元件及摄像装置,用以提高感光效率,进而提高摄像帧率。
本申请部分实施例提供了一种感光元件,包括:包括衬底以及位于所述衬底上的栅极,所述栅极包括:感光门、与所述感光门相邻的传输门、与所述传输门相邻的收集门以及与所述收集门相邻的信号读出点;其中,
所述感光门包括至少两个依次嵌套的感光区,嵌套在内层的感光区上所施加的电压大于嵌套在外层的感光区上所施加的电压;
所述传输门上所施加的电压大于所述感光门中任意感光区上所施加的电压,所述收集门上所施加的电压大于所述传输门上所施加的电压。
在本申请的一个实施例中,所述感光门可包括第一感光区与第二感光区;所述第二感光区可包括脉状部与柄部;所述脉状部嵌套于所述第一感光区内,所述脉状部向所述第一感光区外延伸形成所述柄部;所述传输门可包括第一传输门与第二传输门;所述第一传输门与所述第二传输门分别位于所述柄部两侧;
所述收集门可包括第一收集门与第二收集门;所述第一收集门与所述第一传输门相邻,所述第二收集门与所述第二传输门相邻;所述信号读出点可包括第一信号读出点与第二信号读出点;所述第一信号读出点与所述第一收集门相邻;所述第二信号读出点与所述第二收集门相邻。
在本申请的一个实施例中,所述脉状部的脉序可为羽状脉。
在本申请的一个实施例中,所述脉状部可包括主脉、侧脉与细脉;所述主脉沿所述第一感光区的纵向延伸,所述侧脉为所述主脉沿所述第一感光区的横向延伸而成,所述细脉为所述侧脉沿所述第一感光区的纵向延伸而成。
在本申请的一个实施例中,所述第一感光区、所述第二感光区、所述传输门、所述收集门可为P型掺杂,且掺杂浓度依次降低;或者,所述第一感光区、所述第二感光区、所述传输门、所述收集门可为N型掺杂,且掺杂浓度依次升高;或者,所述第一感光区、所述第二感光区、所述传输门、所述收集门可依次呈P型掺杂浓度降低、N型掺杂浓度升高的趋势。
在本申请的一个实施例中,所述感光门可包括第三感光区以及嵌套于所述第三感光区内的第四感光区;其中,所述第四感光区呈脉状;所述第四感光区可包括主脉与侧脉;所述主脉沿所述第三感光区的纵向延伸,所述侧脉为所述主脉沿所述第三感光区的横向延伸而成;所述主脉贯穿所述第三感光区,且所述主脉的第一端的边界与所述第三感光区的第一边界齐平,所述主脉的第二端的边界与所述第三感光区的第二边界齐平,其中所述第一边界与所述第二边界位置相对;所述传输门可包括第三传输门与第四传输门;所述第三传输门与所述第一端相邻,所述第四传输门与所述第二端相邻;所述收集门包括第三收集门与第四收集门;所述第三收集门与所述第三传输门相邻,所述第四收集门与所述第四传输门相邻;所述信号读出点可包括第三信号读出点与第四信号读出点;所述第三信号读出点与所述第三收集门相邻;所述第四信号读出点与所述第四收集门相邻。
在本申请的一个实施例中,所述第三感光区、所述第四感光区、所述传输门、所述收集门可为P型掺杂,且掺杂浓度依次降低;或者,所述第三感光区、所述第四感光区、所述传输门、所述收集门可为N型掺杂,且掺杂浓度依次升高;或者,所述第三感光区、所述第四感光区、所述传输门、所述收集门可依次呈P型掺杂浓度降低、N型掺杂浓度升高的趋势。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的