[实用新型]一种偏心电极盖有效
申请号: | 201720116744.9 | 申请日: | 2017-02-08 |
公开(公告)号: | CN206412370U | 公开(公告)日: | 2017-08-15 |
发明(设计)人: | 赵伟;严付安 | 申请(专利权)人: | 武汉灿光光电有限公司 |
主分类号: | H01L31/0203 | 分类号: | H01L31/0203;H01L31/0232 |
代理公司: | 广州市越秀区海心联合专利代理事务所(普通合伙)44295 | 代理人: | 蔡国,王洪娟 |
地址: | 430000 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 偏心 电极 | ||
技术领域
本实用新型涉及光电二极管技术领域,尤其涉及一种偏心电极盖。
背景技术
现有的光电二极管在封装封帽的工序中,为了保证透镜帽和芯片的同心,通常采用下电极和电极盖作为夹具进行定位,但是,对电极盖主要是对透镜帽和底座的限位来保证透镜帽和芯片的同心,而芯片的出光面与底座之间有时会存在偏心状况,从而导致透镜帽和芯片的同心度达不到要求。
实用新型内容
本实用新型主要是解决现有技术中所存在的技术问题,从而提供一种同心度高、有效提升产品质量的偏心电极盖。
本实用新型的上述技术问题主要是通过下述技术方案得以解决的:
本实用新型提供的偏心电极盖,其包括电极盖本体,所述电极盖本体的内部设有一凹孔,所述凹孔的轴线与所述电极盖本体的轴线之间设有一调整间距,所述凹孔的底部还设有一通孔,所述通孔的轴线与所述电极盖本体的轴线共线,且所述通孔与外部的光电二极管的底座相配合,其中,所述凹孔内设置有下电极,所述下电极与所述光电二极管的透镜帽相配合,以及所述底座上还设有芯片,所述芯片的出光面与所述底座之间的偏心距与所述调整间距相等。
进一步地,所述下电极与所述透镜帽接触处还设有一圆角。
进一步地,所述通孔的深度大于所述底座的厚度。
进一步地,所述底座的上表面还设有引脚,所述引脚的外部套设有上电极。
本实用新型的有益效果在于:通过在电极盖本体的内部设置一凹孔,并使凹孔的轴线与电极盖本体的轴线之间存在一调整间距,然后将芯片的出光面与底座的偏心距设置成与调整间距相等,从而提高了透镜帽和芯片的同心度,进而提高了产品的质量。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1中,图1a和图1b分别是本实用新型的偏心电极盖的主视图和俯视图;
图2是本实用新型的偏心电极盖的使用状态图。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型的优选实施例进行详细阐述,以使本实用新型的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解,从而对本实用新型的保护范围做出更为清楚明确的界定。
参阅图1-2所示,本实用新型的偏心电极盖,其包括电极盖本体1,电极盖本体1的内部设有一凹孔2,凹孔2的轴线与电极盖本体1的轴线之间设有一调整间距,凹孔2的底部还设有一通孔3,通孔3的轴线与电极盖本体1的轴线共线,且通孔3与外部的光电二极管4的底座5相配合,其中,凹孔2内设置有下电极6,下电极6与光电二极管4的透镜帽8相配合,以及底座5上还设有芯片9,芯片9的出光面与底座5之间的偏心距与调整间距相等。
本实用新型通过在电极盖本体1的内部设置一凹孔2,并使凹孔2的轴线与电极盖本体1的轴线之间存在一调整间距,然后将芯片9的出光面与底座5 的偏心距设置成与调整间距相等,从而提高了透镜帽8和芯片9的同心度,进而提高了产品的质量。
较佳的,为了避免下电极6与透镜帽8之间的刮蹭,下电极6与透镜帽8 接触处还设有一圆角10。
而为了保证底座5和通孔3的有效接触面积,提升封装过程中保证整体结构的稳定性,通孔3的深度大于底座5的厚度。
在本实用新型中,底座5的上表面还设有引脚11,引脚1的外部套设有上电极7。利用上电极7和下电极6的共同作用完成封装封帽工序。
以上,仅为本实用新型的具体实施方式,但本实用新型的保护范围并不局限于此,任何不经过创造性劳动想到的变化或替换,都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此,本实用新型的保护范围应该以权利要求书所限定的保护范围为准。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的