[实用新型]一种宽频带聚焦超声波传感器及具有其的超声波检测系统有效
申请号: | 201720117163.7 | 申请日: | 2017-02-08 |
公开(公告)号: | CN206515300U | 公开(公告)日: | 2017-09-22 |
发明(设计)人: | 张超;刘福春 | 申请(专利权)人: | 中国航发沈阳发动机研究所 |
主分类号: | G01N29/24 | 分类号: | G01N29/24;G01N29/04 |
代理公司: | 北京航信高科知识产权代理事务所(普通合伙)11526 | 代理人: | 周良玉 |
地址: | 110015 *** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 宽频 聚焦 超声波传感器 具有 超声波 检测 系统 | ||
技术领域
本实用新型涉及传感器技术领域,具体涉及一种宽频带聚焦超声波传感器及具有其的超声波检测系统。
背景技术
航空发动机关键零部件超声检测对缺陷定位和定量要求极高,为保证准确将缺陷定位和定量,需要保证传感器的横向分辨率和纵向分辨率。现有的技术不能同时保证横向分辨率和纵向分辨率要求。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供一种宽频带聚焦超声波传感器及具有其的超声波检测系统,以解决或至少减轻背景技术中所存在的至少一处的问题。
本实用新型采用的技术方案是:提供一种宽频带聚焦超声波传感器,包含壳体、晶片、电极、电感器及背衬;所述背衬填充在所述壳体内;所述晶片设置为球面晶片,晶片安装在所述壳体的一端与所述背衬接触;所述电极从所述壳体的另一端引入壳体内部,电极包含第一导体和第二导体,所述第一导体的一端连接电源,另一端连接所述背衬;所述第二导体的一端连接电源,另一端连接所述晶片;所述电感器的两端分别与所述第一导体和第二导体连接;电感器安装在所述壳体内远离所述晶片的一端。
优选地,所述晶片的球面曲率半径为6~14mm。
优选地,所述晶片的厚度为0.8~1mm。
优选地,所述晶片的曲率半径为8mm,厚度为0.9mm。
优选地,所述背衬远离晶片的侧面的距离所述晶片的最小厚度为2~4mm。
优选地,所述电感器的电感为60~100毫亨。
本实用新型还提供了一种超声波检测系统,所述超声波检测系统包含如上所述的宽频带聚焦超声波传感器。
本实用新型的有益效果在于:本实用新型通过球面晶片设计出宽频带聚焦超声波传感器,宽频带传感器可以提高缺陷的纵向分辨率,即沿声速传播方向的最小分辨尺寸;通过控制球面晶片的曲率半径,来决定焦点半径的大小,提高缺陷的横向分辨率;本实用新型的宽频带聚焦超声波传感器既能保证横向分辨率也能保证纵向分辨,可以提高缺陷定位和定量,准确定位和定量可以减少航空发动机零件的报废率和减少后续不必要的加工工序。
附图说明
图1是本实用新型一实施例的宽频带聚焦超声波传感器的示意图。
其中,1-壳体,2-晶片,3-电极,31-第一导体,32-第二导体,4-电感器, 5-背衬。
具体实施方式
为使本实用新型实施的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行更加详细的描述。在附图中,自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。所描述的实施例是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的,旨在用于解释本实用新型,而不能理解为对本实用新型的限制。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。下面结合附图对本实用新型的实施例进行详细说明。
在本实用新型的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本实用新型和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本实用新型保护范围的限制。
如图1所示,一种宽频带聚焦超声波传感器,包含壳体1、晶片2、电极 3、电感器4及背衬5;背衬5填充在壳体1内;在本实施例中,背衬5安装在壳体1的中部,在背衬5的一侧安装电极3,另一侧安装晶片2。背衬5包含钨粉和环氧树脂,钨粉与环氧树脂的比例为50%~70%,使背衬声阻抗数值达到晶片声阻抗数值的四分之三。背衬5的主要作用是与晶片匹配,减少晶片振动的次数。
晶片2设置为球面晶片,晶片2安装在壳体1的一端与背衬5接触,球面晶片2的内凹面远离所述背衬5,并朝向被检测的零件侧;在本实施例中,晶片2的曲率半径为8mm,厚度为0.9mm。
可以理解的是,晶片2的曲率半径还可以根据实际需要设定,例如,在一个备选实施例中,晶片2的曲率半径为10mm;在另一备选实施例中,晶片2 的曲率半径为12mm;晶片2的球面曲率半径可以在6~14mm之间任意设定。
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