[实用新型]一种低渗透油藏多级压裂水平井压力场分布模拟装置有效

专利信息
申请号: 201720117917.9 申请日: 2017-02-09
公开(公告)号: CN206487457U 公开(公告)日: 2017-09-12
发明(设计)人: 丁冠阳;黄世军;张雪娇 申请(专利权)人: 中国石油大学(北京)
主分类号: E21B43/26 分类号: E21B43/26;E21B49/00
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地址: 102249*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 渗透 油藏 多级 水平 压力 分布 模拟 装置
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及油田开发实验领域,特别涉及一种低渗透油藏多级压裂水平井压力场分布模拟装置。

背景技术

我国低渗透油藏资源总量丰富,但其储层物性较差,传统的开采方式不能有效开发此类油藏。多级压裂水平井通过改善低渗透油藏近井地带的渗流条件并增大泄油面积,提高了油井产量,改善了油藏的开发效果。多级压裂水平井的压裂级数一般在5级以上,每一级压裂都将形成两条对称分布的主裂缝,从主裂缝上又将扩展出次裂缝。次裂缝从主裂缝上向油藏延伸,如同从树干延展出的树枝。主裂缝和次裂缝形成复杂的裂缝网络系统,扩大了泄油范围,但也增加了流动的复杂性。低渗透油藏天然产能严重不足,为提高油藏的开发效果,多采用早期注水开发或者超前注水开发的技术措施。在长庆油田等国内外低渗透油田的实际开发过程中,往往采用多级压裂水平井进行注水和采油,以提高油藏的开发效果。

由于多级压裂水平井形成的缝网的复杂性,现有的理论研究方法与数值模拟方法难以分析多级压裂水平井开发时地层内的压力分布情况。而现有的实验装置缺少针对性的研究,因此需要提供一种多级压裂水平井压力场分布模拟装置,已研究多级压裂水平井生产时地层内的压力分布。

实用新型内容

本实用新型的目的是,提供一种低渗透油藏多级压裂水平井压力场分布模拟装置,通过模拟多级压裂水平井的主裂缝和次裂缝在油藏内的分布,确定油层内的地层压力的分布情况。

本实用新型的目的可以通过采用如下技术方案达到:

实用新型所述的一种低渗透油藏多级压裂水平井压力场分布模拟装置包括恒压直流电源、模拟多级压裂水平井、硫酸铜溶液、电压表、导线、探针、有机玻璃槽。

模拟多级压裂水平井包括模拟水平井筒、模拟主裂缝、模拟次裂缝。在所述模拟水平井筒的水平段的适当位置焊接有所述模拟主裂缝,相邻的模拟主裂缝对称排列。在每一个所述模拟主裂缝上,焊接有所述模拟次裂缝,相邻的模拟次裂缝对称排列。所述模拟水平井筒由直径2.5毫米的铜丝制成。所述模拟主裂缝由直径1.5毫米的铜丝制成。所述模拟次裂缝由直径1毫米的铜丝制成。

在所述有机玻璃槽内设置有适量的硫酸铜溶液,用以模拟油藏的储层。在所述机玻璃槽内设置有两口模拟多级压裂水平井。所述模拟多级压裂水平井的模拟主裂缝和模拟次裂缝浸没在硫酸铜溶液中。一口所述的模拟多级压裂水平井通过导线连接在所述的恒压直流电源的低压端,另一口所述的模拟多级压裂水平井通过导线连接在所述的恒压直流电源的高压端。

所述电压表通过导线连接所述恒压直流电源的低压端和所述探针。

在连接好本实用新型后,将所述探针的一端浸入硫酸铜溶液中,可以测得探针所在位置的电压值。通过改变所述探针在硫酸铜溶液中的位置,可以获得多级压裂水平井生产时地层内的压力分布。

本实用新型的有益技术效果:本实用新型采用以上技术方案,模拟出多级压裂水平井的主裂缝和次裂缝的形态,依据水电相似原理,能够表征低渗透油藏压裂水平井开发时,地层内不同位置的压力,从而为优化多级压裂水平井的部署提供依据。

附图说明

以下附图仅旨在于对实用新型做示意性说明和解释,并不限定本实用新型的范围。

图1为本实用新型提供的一种低渗透油藏多级压裂水平井压力场分布模拟装置的结构示意图。

图2为模拟多级压裂水平井的结构示意图。

图中:1-恒压直流电源,2-模拟多级压裂水平井,3-硫酸铜溶液,4-电压表,5-导线,6-探针,7-有机玻璃槽,8-模拟水平井筒,9-模拟主裂缝,10-模拟次裂缝。

具体实施方式

为使本领域技术人员更加清楚和明确本实用新型的技术方案,下面结合实施例及附图对本实用新型作进一步详细的描述,但本实用新型的实施方式不限于此。

如图1所示,本实用新型涉及一种低渗透油藏多级压裂水平井压力场分布模拟装置,包括恒压直流电源1、模拟多级压裂水平井2、硫酸铜溶液3、电压表4、导线5、探针6、有机玻璃槽7。

如图1所示,在所述机玻璃槽7内设置有两口模拟多级压裂水平井2。模拟主裂缝9和模拟次裂缝10浸没在硫酸铜溶液3中。

如图1所示,所述的模拟多级压裂水平井2分别通过导线5连接在所述的恒压直流电源1的低压端和高压端。

如图1所示,所述电压表4通过导线5连接所述恒压直流电源1的低压端和所述探针6。

如图2所示,模拟多级压裂水平井2包括模拟水平井筒8、模拟主裂缝9、模拟次裂缝10。

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