[实用新型]一种等离子体原位刻蚀与辅助生长的石墨烯制备系统有效

专利信息
申请号: 201720140485.3 申请日: 2017-02-16
公开(公告)号: CN206502603U 公开(公告)日: 2017-09-19
发明(设计)人: 王振中 申请(专利权)人: 厦门烯成石墨烯科技有限公司
主分类号: C01B32/184 分类号: C01B32/184
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 361015 福建省厦门市*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 一种 等离子体 原位 刻蚀 辅助 生长 石墨 制备 系统
【权利要求书】:

1.一种等离子体原位刻蚀与辅助生长的石墨烯制备系统,其特征在于:所述系统由机架、高温管式炉、石英管、微波等离子体发生装置、微波等离子体刻蚀装置、磁力杆组成;所述石英管通过支撑机构固定在机架上;所述高温管式炉通过滑动轨道连接在机架上,沿石英管外壁径向移动;所述系统还包括进气组,所述进气组包括气源和进气石英管,所述进气石英管的一端从石英管进样端延伸至石英管中,另一端在石英管外与气源相连;所述微波等离子发生装置包围在石英管外的进气石英管外部;所述微波等离子体刻蚀装置包围在石英管外部,设置在磁力杆和高温管式炉之间。

2.根据权利要求1所述的一种等离子体原位刻蚀与辅助生长的石墨烯制备系统,其特征在于:所述进气组还包括气体质量流量控制器和阀门,所述气体质量流量控制器和阀门设置在气源和进气石英管之间,并通过导气管相连接;所述进气组分为两路,其中一路经过微波等离子体发生装置进入到石英管中;另一路直接进入石英管。

3.根据权利要求1所述的一种等离子体原位刻蚀与辅助生长的石墨烯制备系统,其特征在于:所述气源包括氩气、甲烷和氢气。

4.根据权利要求1所述的一种等离子体原位刻蚀与辅助生长的石墨烯制备系统,其特征在于:所述设备还包括真空系统和过压保护器,所述真空系统和过压保护器通过法兰连接到石英管进样端口。

5.根据权利要求4所述的一种等离子体原位刻蚀与辅助生长的石墨烯制备系统,其特征在于:所述真空系统包括真空泵和真空压力计,通过导气管与法兰相连接。

6.根据权利要求1所述的一种等离子体原位刻蚀与辅助生长的石墨烯制备系统,其特征在于:所述磁力杆与石英管的一端由法兰连接。

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