[实用新型]具有平面沟道的垂直功率金属氧化物半导体场效应晶体管

权利要求书

1.一种具有平面沟道的垂直功率金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于，包含：

一半导体基板，在其底面上具有一第一电极；

在该基板上方一第一导电类型的一第一层，该第一层具有一第一掺杂物浓度；

在该第一层上方该第一导电类型的一第二层，该第二层具有高于该第一掺杂物浓度的一第二掺杂物浓度，该第二层具有一顶端表面；

一沟槽，其具有联接该第二层的一垂直侧壁；

在该第二层的顶端表面上一第二导电类型的一井区，该井区具有一顶端表面；

在该井区的顶端表面上该第一导电类型的一第一区，其中介于该第一区与该井区的一边缘之间的一区域包含一沟道，其用于由一栅极反转；

一传导栅极，其覆盖该沟道以在该栅极偏压高于一临界电压时，在该沟道中建立一侧向导电路径，

该栅极，其具有面向该垂直侧壁并与该侧壁隔离的一垂直延伸物；

一垂直场板，其面向该第二层的垂直侧壁并与该侧壁隔离；

一第二区，其为该第一导电类型，围绕及隔绝该井区并延伸至

垂直侧壁的该沟槽，该第二区具有高于该第二掺杂物浓度的一掺杂物浓度，其为减小导通电阻；以及

一第二电极，其电接触该井区和该第一区，其中当一电压施加于该第一电极与该第二电极之间且该栅极偏压高于该临界电压时，一侧向电流流经该沟道且一电流流动于该沟道与该基板之间。

2.如权利要求1所述的具有平面沟道的垂直功率金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于，还包含：

该第一导电类型的一第三层，其介于该第一层与该第二层之间并位于该沟道下方；以及

该第二导电类型的一第四层，其在该第三层的相对侧上侧向邻接该第三层，在该第三层和第四层中的一掺杂物浓度高于该第一掺杂物浓度。

3.如权利要求2所述的具有平面沟道的垂直功率金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于，还包含该第二导电类型的一第五层，其在该沟槽下方并侧向紧邻该第二层。

4.如权利要求3所述的具有平面沟道的垂直功率金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于，该第五层邻接该第四层。

5.如权利要求3所述的具有平面沟道的垂直功率金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于，该第一层与该第四层垂直隔开。

6.如权利要求1所述的具有平面沟道的垂直功率金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于，该垂直场板电连接至该第二电极。

7.如权利要求1所述的具有平面沟道的垂直功率金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于，将该栅极具有一垂直延伸物，其面对该垂直侧壁并从该侧壁隔绝，以及其中该栅极的垂直延伸物中至少有部分是面对该第二区。

8.如权利要求1所述的具有平面沟道的垂直功率金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于，该垂直场板电连接至该栅极。

9.如权利要求1所述的具有平面沟道的垂直功率金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于，该垂直场板比该井区更深。

10.如权利要求1所述的具有平面沟道的垂直功率金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于，该栅极具有一垂直延伸物，其面对该垂直侧壁并从侧壁隔绝，以及其中该栅极的该垂直延伸物在该井区下方延伸。

11.如权利要求1所述的具有平面沟道的垂直功率金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于，该井区延伸至该第二层的垂直侧壁。

12.如权利要求11所述的具有平面沟道的垂直功率金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于，将该栅极具有一垂直延伸物，其面对该垂直侧壁并从该侧壁隔绝，以及其中该栅极的垂直延伸物反转紧邻该垂直侧壁的部分的该井区。

13.如权利要求1所述的具有平面沟道的垂直功率金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于，还包含该第二导电类型的一第三区，其在该沟槽下方并侧向紧邻该第二层。

14.如权利要求1所述的具有平面沟道的垂直功率金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于，还包含该第二导电类型的一第二区，其在该沟槽下方并侧向紧邻该第二层。