[实用新型]一种栅极保护电路有效
| 申请号： | 201720149745.3 | 申请日： | 2017-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN206584926U | 公开（公告）日： | 2017-10-24 |
| 发明（设计）人： | 杨坤树;黎裕文;黄关烧;庄网发;黄玉观 | 申请（专利权）人： | 广东明阳龙源电力电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/62 | 分类号： | H01L23/62;H01L23/64 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司44205 | 代理人： | 伍传松 |
| 地址： | 528437 广东省中山市火炬*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 栅极 保护 电路 | ||
1. 一种栅极保护电路，其特征在于：包括
连接驱动板输出驱动脉冲信号的端口D-Gon 与端口D-E，连接IGBT 栅极的端口IGBT-G 及连接IGBT 射级的端口IGBT-E；以及
连接在端口D-Gon 与端口IGBT-G之间的栅极驱动电阻，连接在端口D-E与端口IGBT-E之间的源极驱动电阻；
连接在端口IGBT-G 与端口IGBT-E之间的IGBT导通泄压电路（10）和IGBT关断泄压电路（20）。
2.根据权利要求1所述的一种栅极保护电路，其特征在于：所述IGBT导通泄压电路（10）包括NPN型三极管Q4、稳压二极管D5、吸收电容C10、泄压电阻R25以及二极管D8，该三极管Q4的集电极与端口IGBT-G连接，稳压二极管D5连接在三极管Q4的集电极与基极之间，该吸收电容C10连接在三极管Q4的发射级与端口IGBT-E之间，该泄压电阻R25、二极管D8依次串联在三极管Q4的发射级与端口D-Gon之间。
3.根据权利要求2所述的一种栅极保护电路，其特征在于：所述三极管Q4的基极与端口IGBT-E之间连接有并联着的电容C8和电阻R18。
4.根据权利要求1所述的一种栅极保护电路，其特征在于：所述IGBT关断泄压电路（20）包括PNP型三极管Q3、二极管D10、吸收电容C9、泄压电阻R21以及二极管D7，该三极管Q3的发射极与端口IGBT-G连接，二极管D10连接在三极管Q3的基极与端口D-Gon之间，该吸收电容C9连接在三极管Q3的集电极与端口IGBT-E之间，该泄压电阻R21、二极管D7依次串联在三极管Q3的集电极与端口D-Gon之间。
5.根据权利要求4所述的一种栅极保护电路，其特征在于：所述三极管Q3的基极与端口IGBT-E之间连接有并联着的电容C7和电阻R19。
6.根据权利要求1所述的一种栅极保护电路，其特征在于：所述栅极驱动电阻由电阻R14和电阻R15并联而成，源极驱动电阻由电阻R24和电阻R20并联而成。
7.根据权利要求1所述的一种栅极保护电路，其特征在于：所述端口IGBT-G 与端口IGBT-E之间连接有电阻R17。
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