[实用新型]一种基于金属卤化物钙钛矿的压光器件有效
| 申请号： | 201720151357.9 | 申请日： | 2017-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN206697525U | 公开（公告）日： | 2017-12-01 |
| 发明（设计）人： | 安娜;张晓利;马昊玥;卢睿;杨磊;边盾 | 申请（专利权）人： | 天津市中环量子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/52 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司44205 | 代理人： | 李先林 |
| 地址： | 300380 天津市西青区*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 金属 卤化物 钙钛矿 压光 器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于金属卤化物钙钛矿的压光器件，其特征在于，由柔性衬底、微纳结构、发光层、介质层和电极层依次堆叠构成，所述微纳结构为网格状，所述网格为边长100～500nm的正方形结构。
2.根据权利要求1所述的压光器件，其特征在于，所述柔性衬底的材料为聚酰亚胺，所述柔性衬底的厚度为10～2000μm。
3.根据权利要求1所述的压光器件，其特征在于，所述微纳结构的材料为氧化铟锡。
4.根据权利要求1所述的压光器件，其特征在于，所述微纳结构的厚度为50～500nm。
5.据权利要求1所述的压光器件，其特征在于，所述发光层的材料为钙钛矿量子点。
6.据权利要求5所述的压光器件，其特征在于，所述钙钛矿量子点为CsPbBr3。
7.据权利要求1所述的压光器件，其特征在于，所述发光层的厚度为0.5～2μm。
8.据权利要求1所述的压光器件，其特征在于，所述介质层的材料为导电粘合层，所述介质层的厚度为1～5nm。
9.据权利要求1所述的压光器件，其特征在于，所述电极层的材料为银薄膜或导电聚合物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
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