[实用新型]一种虹膜识别成像模组封装结构有效
申请号: | 201720152174.9 | 申请日: | 2017-02-20 |
公开(公告)号: | CN206602112U | 公开(公告)日: | 2017-10-31 |
发明(设计)人: | 王之奇;吴明轩 | 申请(专利权)人: | 苏州晶方半导体科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人: | 王宝筠 |
地址: | 215021 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 虹膜 识别 成像 模组 封装 结构 | ||
1.一种虹膜识别成像模组封装结构,其特征在于,包括:
基板,所述基板具有第一区以及包围所述第一区的第二区;所述基板上设置有布线线路,所述基板具有彼此相对的正面以及背面;
固定在所述基板正面对应第一区位置的盖板,所述盖板仅使红外光透过;
绑定在所述基板背面对应第一区位置的影像传感芯片,所述影像传感芯片具有影像感应区,所述影像感应区朝向所述盖板设置;
绑定在所述基板正面对应第二区位置的红外LED;
固定在所述基板背面对应第二区位置的接触端,所述接触端与所述布线线路电连接,所述接触端用于与外部电路电连接;
其中,所述第一区具有贯穿所述基板的窗口,所述窗口完全暴露所述影像感应区;所述影像传感芯片与所述布线线路电连接。
2.根据权利要求1所述的虹膜识别成像模组封装结构,其特征在于,所述外部电路具有插孔;
所述接触端为与所述插孔相匹配的插接引脚;所述插接引脚通过所述插孔与所述外部电路电连接。
3.根据权利要求1所述的虹膜识别成像模组封装结构,其特征在于,所述接触端为焊盘或是锡球。
4.根据权利要求1所述的虹膜识别成像模组封装结构,其特征在于,所述影像传感芯片朝向所述基板的表面包括:所述影像感应区以及包围所述影像感应区的绑定区;所述绑定区具有多个第一焊盘,所述第一焊盘与所述影像感应区电耦合且所述第一焊盘与所述布线线路电连接。
5.根据权利要求4所述的虹膜识别成像模组封装结构,其特征在于,所述影像传感芯片的周缘具有底部填充胶,所述底部填充胶将所述影像传感芯片与所述基板之间密封。
6.根据权利要求4所述的虹膜识别成像模组封装结构,其特征在于,所述基板背面对应第一区的位置具有与所述第一焊盘一一对应的第二焊盘;所述第一焊盘与所述第二焊盘通过焊接工艺电连接。
7.根据权利要求4所述的虹膜识别成像模组封装结构,其特征在于,所述基板背面对应第一区的位置具有与所述第一焊盘一一对应的第二焊盘;所述第一焊盘与所述第二焊盘通过各向异性导电胶电连接。
8.根据权利要求1所述的虹膜识别成像模组封装结构,其特征在于,所述盖板为滤光片,所述滤光片用于通过红外光,滤除可见光。
9.根据权利要求8所述的虹膜识别成像模组封装结构,其特征在于,所述滤光片包括透明玻基板以及设置在透明玻璃基板朝向影像感应区一侧红外光镀层。
10.根据权利要求1所述的虹膜识别成像模组封装结构,其特征在于,所述基板为PCB基板、或玻璃基板、或塑料基板、或半导体基板。
11.根据权利要求1所述的虹膜识别成像模组封装结构,其特征在于,
所述基板正面对应第二区的位置具有第三焊盘,所述第三焊盘与所述布线线路电连接;
所述红外LED与所述第三焊盘电连接。
12.根据权利要求11所述的虹膜识别成像模组封装结构,其特征在于,所述红外LED包括:
固定在所述基板上的蓝宝石衬底,所述蓝宝石衬底朝向所述基板的表面具有反射层;
位于所述蓝宝石衬底背离所述基板一侧的N型半导体层;
位于所述N型半导体层背离所述蓝宝石衬底一侧的发光功能,所述发光功能层露出部分所述N型半导体层,露出的部分所述N型半导体层表面设置有第一电极;
位于所述发光功能层背离所述N型半导体层一侧的P型半导体层;
位于所述P型半导体层背离所述发光功能层一侧的第二电极;
其中,所述第二电极露出部分所述P型半导体层,用于出射红外光。
13.根据权利要求12所述的虹膜识别成像模组封装结构,其特征在于,所述第一电极以及所述第二电极分别通过导线与不同的所述第三焊盘电连接;
或,所述第一电极以及所述第二电极分别通过各向异性导电胶与所述第三焊盘电连接;
或,所述第一电极以及所述第二电极分别通过导电薄膜与所述第三焊盘电连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的