[实用新型]一种低补偿电容值的基准电路

权利要求书

1.一种低补偿电容值的基准电路，其特征在于：包括运算放大器、补偿电容和反馈网络，所述运算放大器为不对称结构，用于调整输出电压；所述补偿电容设置在运算放大器和反馈网络之间，用于对环路进行补偿；所述反馈网络设置在运算放大器输出端，与运算放大器配合输出稳定电压。

2.根据权利要求1所述的低补偿电容值的基准电路，其特征在于：所述运算放大器包括镜像电流源单元，输入对管单元，电流负载单元，第二级输出单元，所述镜像电流源单元输出端分别与输入对管单元输入端和第二级输出单元输入端相连，所述输入对管单元输出端与电流负载单元输入端相连，所述电流负载输出端与第二级输出单元输入端相连。

3.根据权利要求2所述的低补偿电容值的基准电路，其特征在于：所述镜像电流源单元包括MOS管P1和MOS管P2，输入对管单元包括MOS管P5和MOS管P6，电流负载单元包括MOS管N1和MOS管N2，第二级输出单元包括MOS管P3和MOS管N3，其中，所述MOS管P1、P2、P3源极接电源电压，MOS管P1漏极接偏置电流，MOS管P1栅极与漏极相接且与MOS管P2、P3的栅极相连，所述MOS管P5、P6的源极相接并与P2的漏极相连，MOS管P5栅极与反馈网络相连，MOS管P6栅极与基准电压相连，MOS管N1的漏极和栅极相连并接MOS管P5漏极，分别与MOS管N2的漏极和栅极相连并分别与MOS管P6漏极和MOS管N3栅极相连，所述MOS管N1、N2、N3源极接电源地，所述MOS管N3、P3漏极相接并输出。

4.根据权利要求3所述的低补偿电容值的基准电路，其特征在于：所述反馈网络包括MOS管P4、分压电阻，其中，所述MOS管P4源极接电源电压，所述MOS管P4栅极和补偿电容C1一端接所述MOS管N3、P3漏极输出端，MOS管P4漏极通过串联的分压电阻接电源地，所述补偿电容C1另一端接电源地。

5.根据权利要求4所述的低补偿电容值的基准电路，其特征在于：所述分压电阻包括电阻R1、电阻R2和电阻R3，所述电阻R1、电阻R2和电阻R3依次串联。

6.根据权利要求4所述的低补偿电容值的基准电路，其特征在于：所述运算放大器的MOS管P5的源极接电阻R2和电阻R3之间。