[实用新型]一种电流基准电路

说明书

技术领域

实用新型涉及模拟、射频微电子电路技术领域，尤其是一种电流基准电路。

背景技术

电压基准和电流基准是模拟集成电路中不可或缺的基本单元，基准电路对其他电路模块的性能有着很大的影响。对基准电路的最基本要求是PVT(工艺、电压、温度)无关。

电压基准的理论比较成熟，通常采用带隙结构，基准电压直接来源于硅的能带隙。实际上并不存在电流基准，它通常由带隙电压基准和一到两个电阻的组合来得到。这种方案主要存在以下一些问题：

1)带隙基准电路中往往会使用寄生三极管(bjt)，bjt需要消耗比较大的版图面积，此外，目前通用的cmos工艺中，bjt的模型往往很难建立，准确性不高，这不利于电路的设计。

2)通常的带隙基准电路比较复杂，一般都会使用运放。

3)通常的带隙基准电路为了得到比较好的性能，往往消耗比较大的功耗。

4)在目前集成电路工艺中，电阻的变化范围约为20％左右，影响电流基准的准确性、使电流基准受PVT的影响很大。

5)低功耗电路所需的基准电流很小，会使用较大的电阻，需要消耗比较大的版图面积。

实用新型内容

为了解决提供随PVT变化很小的基准电流、减小电流基准电路的复杂性、减小电流基准电路的功耗以及减小电流基准电路的面积等问题，本实用新型提供一种电流基准电路，用在低功耗电路中，用来产生200nA的基准电流。

本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：

一种电流基准电路，包括有两主支路，其中，左支路经由PMOS管PM4连接于NMOS管NM1并接地；右支路经由PMOS管PM5连接于NMOS管NM2、并经由NMOS管NM0并接地；所述PMOS管PM4和所述PMOS管PM5相连接的节点连接于所述PMOS管PM5和所述NMOS管NM2相连接的节点；所述 NMOS管NM1和所述NMOS管NM2相连接的节点连接于所述PMOS管PM4 和所述NMOS管NM1相连接的节点；所述NMOS管NM0还经由NM0的栅源电压VGS接地。

本实用新型还具有以下附加技术特征：

作为本实用新型方案进一步具体优化的，还包括有与两主支路并联连接的两次支路，其中，左支路经由PMOS管PM6连接于NMOS管NM4并经由NMOS 管NM3接地；右支路经由PMOS管PM7连接于NMOS管NM5并经由NMOS 管NM3接地；所述PMOS管PM6和所述PMOS管PM7相连接的节点连接于所述PMOS管PM7和所述NMOS管NM5相连接的节点。

作为本实用新型方案进一步具体优化的，所述NMOS管NM4分别连接于所述PMOS管PM4和所述NMOS管NM1相连接的节点和所述NMOS管NM1和所述NMOS管NM2相连接的节点；所述NMOS管NM5连接于所述PMOS管 PM5和所述NMOS管NM2相连接的节点；所述NMOS管NM3连接于所述NMOS 管NM1和所述NMOS管NM2相连接的节点；所述PMOS管PM4和所述NMOS 管NM1相连接的节点经由电容C连接于所述PMOS管PM6和所述NMOS管 NM4相连接的节点。

作为本实用新型方案进一步具体优化的，电流基准电路中的部分结构根据连接原理做同等替换，形成若干条并联连接的电流基准电路。

本实用新型和现有技术相比，其优点在于：

本实用新型使用了较少的MOS管，电路结构比较简单，电路面积比较小。本实用新型具有宽的输入电压范围，从0.7V-3.3V。本实用新型产生的基准电流受PVT的影响很小，具有很低的温度系数，高的电源抑制比。本实用新型的功耗很低。

本实用新型的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本实用新型的实践了解到。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型的原理一示意图；

图2为本实用新型的原理一仿真示意图；

图3为本实用新型的原理二示意图；

图4为本实用新型的原理二仿真示意图；

图5为本实用新型的原理三示意图；

图6为本实用新型的最终实现示意图；

图7为本实用新型的产生的基准电流不同corner下的温度系数示意图；