[实用新型]一种高电压测试保护电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及开关电源技术领域，尤其涉及一种高电压测试保护电路。

背景技术

为降低开关电源的待机功耗，市面上多数反激拓扑芯片都集成了高压启动功能，例如反激控制芯片NCP1236和反激控制芯片FAN6755等。该类反激控制芯片集成的高压启动功能主要是在芯片高压引脚集成一个高压MOS管；在上电时，高压MOS管导通，反激控制芯片通电工作；在反激控制芯片正常工作后，高压MOS管关断，从而减小损耗。

现有技术方案采用所述反激控制芯片在实现了降低待机功耗的功能时，由于所述反激控制芯片NCP1236的内置MOS管的耗散功率较小，其内置MOS管关断时，与周围电路没有形成有效的回路，故在HI-POT实验(High Potential实验，高电压实现，即对产品进行耐电压或电气强度试验，是国家强制要求执行的安全实验)，如图1所示，在对产品进行所述HI-POT实验时，HI-POT测试仪器的一输出端A接到整个高电压测试电路的输入电源的火线输入端VIN_L和零线输入端VIN_N，HI-POT测试仪器的另一输B出端接到电压转换电路中的输出电解电容C4的负极，HI-POT测试仪器输出3.5KV的脉冲电压，该脉冲电压经过VIN_L连接到电阻R1的一端上，电阻R1的另一端连接到反激控制芯片U1(NCP1236)的第8高压管脚HV，因R1的电阻值较小，该脉冲电压会在反激控制芯片U1的第8高压管脚HV形成超过650V的脉冲高压，因此时反激控制芯片U1(NCP1236)的第8高压管脚HV的内置MOS管关断，该脉冲高压没有与周围电路形成有效回路，能量无法有效释放出去，而反激控制芯片U1(NCP1236)的第8高压管脚HV的最高耐电压为650V，故会存在一定的概率击穿反激控制芯片U1(NCP1236)的第8高压管脚HV，从而导致反激控制芯片U1(NCP1236)失效。

实用新型内容

本实用新型的一个目的是提供一种高电压测试保护电路，解决现有技术的HI-POT实验时导致的反激控制芯片的实效的问题。

根据本实用新型的一个方面，提供了一种高电压测试保护电路，其特征在于，包括：

输入电源、电阻R1和导电回路，其中，

所述输入电源的火线输入端与所述电阻R1的输入端连接，所述电阻R1的输出端分别与所述反激控制芯片的高压管脚和所述导电回路的输入端连接，所述反激控制芯片和所述导电回路并联，所述导电回路的输出端与所述反激控制芯片的接地脚连接。

进一步地，上述高电压测试保护电路中，所述高电压测试保护电路还包括：

芯片启动电路、芯片供电电路、电压过滤电路和电压转换电路，其中，所述芯片启动电路的输入端与所述反激控制芯片的电源输入脚连接，所述芯片启动电路的输出端与所述反激控制芯片的接地脚连接；

所述芯片供电电路的输入端分别与所述芯片启动电路的输入端和所述反激控制芯片的电源输入脚连接，所述芯片供电电路与所述芯片启动电路并联；

所述输入电源与所述电压过滤电路的输入端连接，所述电压过滤电路的输出端与所述电压转换电路的输入端连接，所述电压转换电路的输出端与外部直流电压输出端连接。

进一步地，上述高电压测试保护电路中，所述芯片启动电路包括电解电容C3，其中，

所述电解电容C3的正极与所述反激控制芯片的电源输入脚连接，所述电解电容C3的负极与所述反激控制芯片的接地脚连接。

进一步地，上述高电压测试保护电路中，所述导电回路包括二极管D4和电解电容C1，其中，

所述电阻R1的输出端与所述二极管D4的阳极连接，所述二极管D4的阴极与电解电容C1的正极连接，所述电解电容C1的负极与所述反激控制芯片的接地脚连接。

进一步地，上述高电压测试保护电路中，还包括：

分别与所述输入电源的火线输入端、反激控制芯片的高压管脚和所述导电回路的输入端连接的防静电电路。

进一步地，上述高电压测试保护电路中，所述防静电电路包括电阻R1，其中，

所述输入电源的火线输入端与所述电阻R1的输入端连接，所述电阻R1的输出端分别与所述反激控制芯片的高压管脚和所述导电回路的输入端连接。

进一步地，上述高电压测试保护电路中，所述芯片供电电路包括二极管D3和变压器T1的辅助绕组，其中，

所述二极管D3的阳极与所述反激控制芯片的电源输入脚连接，所述二极管D3的阴极与所述变压器T1的辅助绕组的正极连接；