[实用新型]功率晶体管

权利要求书

1.一种功率晶体管，所述功率晶体管的元胞结构包括第一导电类型的衬底、所述衬底上的第二导电类型的阱区、所述阱区内的第一导电类型的源极区、以及所述阱区上方的栅极，所述第一导电类型和第二导电类型为相反的导电类型；其特征在于，所述元胞结构还包括将所述阱区至少部分包裹的空穴电流阻碍区，所述空穴电流阻碍区为第二导电类型、且掺杂浓度小于所述阱区的掺杂浓度，所述空穴电流阻碍区从一所述栅极的下方延伸至所述栅极的相邻栅极的下方。

2.根据权利要求1所述的功率晶体管，其特征在于，所述空穴电流阻碍区将所述阱区完全包裹。

3.根据权利要求2所述的功率晶体管，其特征在于，所述空穴电流阻碍区的结深比所述阱区的结深大0.5微米～1微米。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的功率晶体管，其特征在于，所述第一导电类型为N型，所述第二导电类型为P型。

5.根据权利要求1-3中任一项所述的功率晶体管，其特征在于，所述功率晶体管是垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管或绝缘栅双极型晶体管。

6.根据权利要求4所述的功率晶体管，其特征在于，所述阱区为P阱，所述空穴电流阻碍区为P-区，所述源极区为N+区。

7.根据权利要求1所述的功率晶体管，其特征在于，还包括形成于所述衬底上的第一导电类型的外延层，所述空穴电流阻碍区和阱区形成于所述外延层内。

8.根据权利要求1所述的功率晶体管，其特征在于，所述栅极包括栅氧化层和设于所述栅氧化层上的多晶硅栅。

9.根据权利要求8所述的功率晶体管，其特征在于，所述多晶硅栅为掺杂第一导电类型的离子多晶硅栅。