[实用新型]匹配链式扩散的防滴液刻蚀槽盖结构有效
申请号: | 201720157855.4 | 申请日: | 2017-02-21 |
公开(公告)号: | CN206619583U | 公开(公告)日: | 2017-11-07 |
发明(设计)人: | 潘浩 | 申请(专利权)人: | 无锡德鑫太阳能电力有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L31/18 |
代理公司: | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙)32204 | 代理人: | 张婧 |
地址: | 214028 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 匹配 链式 扩散 防滴液 刻蚀 结构 | ||
技术领域
本实用新型涉及太阳电池片生产技术领域中的刻蚀槽的槽盖结构,尤其涉及一种匹配链式扩散的防滴液刻蚀槽盖结构。
背景技术
太阳能电池片制造经过扩散形成PN结后,需要通过刻蚀工序腐蚀硅片侧面边缘,防止边缘导通漏电。
现在扩散技术有管式和链式两种,其中链式扩散对比管式扩散,即使去除硅片表面的PSG(磷硅玻璃),PN结表面仍然有一层富磷层。链式扩散形的PN结一般不能直接用于太阳能电池,需要利用刻蚀步骤进行方阻提升和边缘隔离,匹配现在的行业内普遍使用的高方阻工艺。
刻蚀槽挥发出的气体对没有水膜等保护的PN结表面有氧化作用,只有经过氧化才能对链式扩散后的硅片继续进行方阻提升工序,可是如果没有水膜的保护,在空气湿度较大的情况下,刻蚀槽盖板上很容易形成水滴,水滴滴落在硅片表面,再吸收槽内的HF/HNO3混合气氛就会腐蚀PN结,导致EL下黑斑,电性能降低。
现有的防滴液技术有用防酸海绵吸收酸液、红外灯加热盖板灯方式,可是这些方式都需要使用耗材,并且有落入槽体的风险。
因此,亟待解决上述问题。
实用新型内容
实用新型目的:本实用新型的目的是提供一种防止刻蚀滴液且滴液可自动收集并排出槽体外的匹配链式扩散的防滴液刻蚀槽盖结构。
技术方案:为实现以上目的,本实用新型所述的一种匹配链式扩散的防滴液刻蚀槽盖结构,包括由位于顶面的波纹板和位于四面的侧板组成的用于封闭槽体的单面开口槽盖,所述波纹板的波谷内壁下方设有用于收集滴液的凹槽板,在所述侧板靠近槽盖开口处设有回字形储液槽,该回字形储液槽上连接有与外部污水处理设备相连通的排液管。该槽盖结构取消了现有技术中采用海绵等耗材吸收滴液的方式,采用波纹板和凹槽板相结合的设计有效收集滴液,收集到的滴液从凹槽板上溢出顺着槽壁流入回字形储液槽中,再经由排液管排出槽体外,避免滴液滴落在槽体内的硅片上,同时也可避免耗材掉落至槽体引起的电性能降低。
其中,所述波纹板的波纹截面形状为三角型。截面形状为三角型的波纹板的板片斜度以及波谷位置更利用滴液的流下,防止滴液在盖板上凝聚直接滴落在槽体内的硅片上。
优选的,所述凹槽板的两端与侧板相连接,凹槽板的上表面开设有用于容纳滴液的槽口,在靠近槽壁处的凹槽板下方开设有引流孔。
进一步,所述凹槽板的槽口截面形状为三角型。该凹槽板可将收集到的液滴向两侧槽壁分流成小股液滴流从引流孔流出,顺着两侧槽壁顺流而下,流入回字形储液槽。
再者,所述槽盖的一对开口侧边向两侧延伸形成翼板。
优选的,所述至少一个翼板上设有用于搬动槽盖离开槽体的把手。
有益效果:与现有技术相比,本实用新型具有以下优点:首先该槽盖结构取消了现有技术中采用海绵等耗材吸收滴液的方式,采用波纹板和凹槽板相结合的设计有效收集滴液,收集到的滴液从凹槽板上溢出顺着槽壁流入回字形储液槽中,再经由排液管排出槽体外,避免滴液滴落在槽体内的硅片上,同时也可避免耗材掉落至槽体引起的电性能降低;其次截面形状为三角型的波纹板的板片斜度以及波谷位置更利用滴液的流下,防止滴液在盖板上凝聚直接滴落在槽体内的硅片上;还有该凹槽板可将收集到的液滴向两侧槽壁分流成小股液滴流从引流孔流出,顺着两侧槽壁顺流而下,流入回字形储液槽;最后该槽盖结构与原机台兼容性高,更换简易、结构简单,更耐用。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图;
图2为本实用新型中去除波纹板的结构示意图;
图3为本实用新型中凹槽板的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型的技术方案作进一步说明。
如图1和图2所示,本实用新型匹配链式扩散的防滴液刻蚀槽盖结构,槽盖3、凹槽板4和回字形储液槽5。上述槽盖3是由位于顶面的波纹板1和位于四面的侧板2组成的用于封闭槽体的单面开口槽盖3,且上述波纹板1的波谷内壁下方设有用于收集滴液的凹槽板4,在侧板2靠近槽盖3开口处设有回字形储液槽5,该回字形储液槽5上连接有与外部污水处理设备相连通的排液管6。该槽盖结构取消了现有技术中采用海绵等耗材吸收滴液的方式,采用波纹板和凹槽板相结合的设计有效收集滴液,收集到的滴液从凹槽板上溢出顺着槽壁流入回字形储液槽中,再经由排液管排出槽体外,避免滴液滴落在槽体内的硅片上,同时也可避免耗材掉落至槽体引起的电性能降低。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造