[实用新型]一种改善的用于Nd:YAG晶体提拉的设备有效
申请号: | 201720160165.4 | 申请日: | 2017-02-22 |
公开(公告)号: | CN206457554U | 公开(公告)日: | 2017-09-01 |
发明(设计)人: | 陈基平;王魁光;陈志辉 | 申请(专利权)人: | 福建科彤光电技术有限公司 |
主分类号: | C30B15/00 | 分类号: | C30B15/00;C30B29/28 |
代理公司: | 福州盈创知识产权代理事务所(普通合伙)35226 | 代理人: | 李明通 |
地址: | 350000 福建省福州*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 改善 用于 nd yag 晶体 设备 | ||
技术领域
本实用新型涉及提拉式晶体生长技术领域,尤其涉及一种改善的用于Nd:YAG晶体提拉的设备。
背景技术
晶体提拉法又称丘克拉斯基法,此法是由熔体生长单晶的一项最主要的方法,适用于大尺寸完美晶体的批量生产。被加热的提拉炉中盛着熔融的料,籽晶杆带着籽晶由上而下插入熔体,由于固液界面附近的熔体维持一定的过冷度、熔体沿籽晶结晶,并随籽晶的逐渐上升而生长成棒状单晶。
目前国内提拉法生长Nd:YAG单晶使用的坩埚底部边缘为直角,在提拉生长过程中,底部边缘熔液容易产生乱流,影响坩埚内熔液的自然对流,导致熔液中掺杂离子Nd分布不均匀,提拉出的晶体掺杂离子Nd浓度分布不均,该改善的用于Nd:YAG晶体提拉的设备坩埚底部由直角改为圆弧面,很好地解决了坩埚内熔液不同位置的流动干扰问题,使得提拉晶体时坩埚内熔液的浓度分布更均匀,有效减少提拉出来的晶棒在不同位置的掺杂离子NdL离子浓度差。
实用新型内容
本实用新型的目的是为了解决现有技术中存在的缺点,而提出的一种改善的用于Nd:YAG晶体提拉的设备。
为了实现上述目的,本实用新型采用了如下技术方案:一种改善的用于Nd:YAG晶体提拉的设备,包括炉体、电加热装置、控制箱和显示屏,所述炉体的一侧连接有电源线,所述炉体内部安装有电加热装置,所述电加热装置下方安装有稳压器,所述电加热装置上方设置有坩埚,所述炉体内部填充有保温层,所述炉体上方覆盖有与其配套使用的氧化铝挡板和不锈钢挡板,且不锈钢挡板上方安装有提拉装置,所述炉体内部一侧表面嵌入安装有温度传感器,所述炉体表面一侧安装有控制箱,所述控制箱表面上方安装有显示屏,所述显示屏下方沿水平方向从左至右一次设有电源开关、指示灯和调节旋钮。
作为上述技术方案的进一步描述:
所述电源线的输出端与控制箱的输入端电性连接。
作为上述技术方案的进一步描述:
所述稳压器的输出端与电加热装置的输入端电性连接。
作为上述技术方案的进一步描述:
所述坩埚的内部圆弧面结构。
作为上述技术方案的进一步描述:
所述温度传感器的输出端与控制箱的输入端电性连接。
作为上述技术方案的进一步描述:
所述控制箱输出端分别与稳压器和提拉装置的输入端电性连接。
本实用新型中,首先,通过设置有稳压器,可以稳定输入电压,使得电加热装置加热时更加的稳定,同时有效的保护电加热装置,延长其使用寿命,减少其出现故障的概率,其次通过将坩埚底部由直角改为圆弧面,很好地解决了坩埚内熔液不同位置的流动干扰问题,使得提拉晶体时坩埚内熔液的浓度分布更均匀,有效减少提拉出来的晶棒在不同位置的掺杂离子NdL离子浓度差,提高了该改善的用于Nd:YAG晶体提拉的设备的品质,增加了市场的竞争力。
附图说明
图1为本实用新型提出的一种改善的用于Nd:YAG晶体提拉的设备的结构示意图;
图2为本实用新型提出的一种改善的用于Nd:YAG晶体提拉的设备的控制箱结构示意图。
图例说明:
1-电源线、2-稳压器、3-炉体、4-电加热装置、5-保温层、6-坩埚、7-提拉装置、8-温度传感器、9-不锈钢挡板、10-氧化铝挡板、11-控制箱、12-显示屏、13-电源开关、14-指示灯、15-调节旋钮。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。
参照图1-2,一种改善的用于Nd:YAG晶体提拉的设备,包括炉体3、电加热装置4、控制箱11和显示屏12,炉体3的一侧连接有电源线1,炉体3内部安装有电加热装置4,电加热装置4下方安装有稳压器2,电加热装置4上方设置有坩埚6,炉体3内部填充有保温层5,炉体3上方覆盖有与其配套使用的氧化铝挡板10和不锈钢挡板9,且不锈钢挡板9上方安装有提拉装置7,炉体3内部一侧表面嵌入安装有温度传感器8,炉体3表面一侧安装有控制箱11,控制箱11表面上方安装有显示屏12,显示屏12下方沿水平方向从左至右一次设有电源开关13、指示灯14和调节旋钮15。
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