[实用新型]一种高亮度发光二极管

说明书

技术领域

本实用新型属于发光二极管技术领域，具体涉及一种高亮度发光二极管。

背景技术

发光二极管简称为LED。由镓(Ga)与砷(As)、磷(P)、氮(N)、铟(In)的化合物制成的二极管，当电子与空穴复合时能辐射出可见光，因而可以用来制成发光二极管。在电路及仪器中作为指示灯，或者组成文字或数字显示。磷砷化镓二极管发红光，磷化镓二极管发绿光，碳化硅二极管发黄光，铟镓氮二极管发蓝光。当给发光二极管加上正向电压后，从P区注入到N区的空穴和由N区注入到P区的电子，在PN结附近数微米内分别与N区的电子和P区的空穴复合，产生自发辐射的荧光。砷化镓二极管发红光，磷化镓二极管发绿光，碳化硅二极管发黄光，氮化镓二极管发蓝光。

现有的发光二极管在使用过程中存在一些缺陷，例如发光二极管在使用过程中引线上容易落灰，灰尘会导致二极管产生击穿现象，引起发光二极管损坏，以及发光二极管上没有设置防击穿套管，容易损坏。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种高亮度发光二极管，以解决上述背景技术中提出的发光二极管在使用过程中引线上容易落灰，灰尘会导致二极管产生击穿现象，引起发光二极管损坏，以及发光二极管上没有设置防击穿套管，容易损坏的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种高亮度发光二极管，包括环氧树脂透镜和绝缘底板，所述环氧树脂透镜内部左侧设置有阳极接线柱，且环氧树脂透镜内部靠近阳极接线柱的右侧位置处设置有阴极接线柱，所述阳极接线柱的上方设置有反射碗，所述反射碗的上方设置有半导体芯片，所述半导体芯片的右侧设置有导线，所述绝缘底板设置在环氧树脂透镜的底部，且绝缘底板左侧下方设置有阳极引线，所述阳极引线的外部包裹有阳极防尘套，且阳极引线的中间位置处设置有防击穿套管，所述防击穿套管的外部设置有楔形槽，所述阳极防尘套右侧靠近绝缘底板的下方位置处设置有阴极防尘套，所述阴极防尘套的内部设置有阴极引线，且阴极防尘套的上端内壁设置有内螺口，所述阴极引线的上端外部设置有外螺纹。

优选的，所述防击穿套管共设置有两个，且两个防击穿套管分别设置在阴极引线和阳极引线的外部中间位置处。

优选的，所述阴极引线与阴极防尘套通过外螺纹和内螺口固定连接。

优选的，所述阴极接线柱与阳极接线柱通过导线电性连接。

优选的，所述阴极接线柱与阴极引线为一体式结构。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：该实用新型结构科学合理，使用安全方便，发光二极管的阴极引线和阳极引线上均设置了防尘套，可以防止灰尘落到引线上，防尘套与引线通过外螺纹和内螺口相连接，可以方便安装和拆卸，使用起来更加方便，在阴极引线和阳极引线上均设置了防击穿套管，防击穿套管上均设置了楔形槽，可以有效的防止发生击穿现象，导致二极管的损坏。

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图；

图2为本实用新型的外观示意图；

图中：1-环氧树脂透镜、2-导线、3-阴极接线柱、4-外螺纹、5-内螺口、6-阴极引线、7-阴极防尘套、8-阳极防尘套、9-防击穿套管、10-楔形槽、11-阳极引线、12-绝缘底板、13-阳极接线柱、14-反射碗、15-半导体芯片。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

请参阅图1和图2，本实用新型提供一种技术方案：一种高亮度发光二极管，包括环氧树脂透镜1和绝缘底板12，环氧树脂透镜1内部左侧设置有阳极接线柱13，且环氧树脂透镜1内部靠近阳极接线柱13的右侧位置处设置有阴极接线柱3，阳极接线柱13的上方设置有反射碗14，反射碗14的上方设置有半导体芯片15，半导体芯片15的右侧设置有导线2，绝缘底板12设置在环氧树脂透镜1的底部，且绝缘底板12左侧下方设置有阳极引线11，阳极引线11的外部包裹有阳极防尘套8，且阳极引线11的中间位置处设置有防击穿套管9，防击穿套管9的外部设置有楔形槽10，阳极防尘套8右侧靠近绝缘底板12的下方位置处设置有阴极防尘套7，阴极防尘套7的内部设置有阴极引线6，且阴极防尘套7的上端内壁设置有内螺口5，阴极引线6的上端外部设置有外螺纹4。