[实用新型]太阳能电池硅片用真空吸附式花篮有效
申请号: | 201720163078.4 | 申请日: | 2017-02-22 |
公开(公告)号: | CN206505939U | 公开(公告)日: | 2017-09-19 |
发明(设计)人: | 何达能;方结彬;陈刚 | 申请(专利权)人: | 广东爱康太阳能科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/677;H01L21/683 |
代理公司: | 广州知友专利商标代理有限公司44104 | 代理人: | 高文龙 |
地址: | 528137 广东省佛*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 硅片 真空 吸附 花篮 | ||
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池的输送设备,具体是指太阳能电池硅片用真空吸附式花篮。
背景技术
在光伏太阳能行业,太阳能电池的制造要经过制绒,扩散,刻蚀,镀膜,丝网印刷和烧结六大工序。在各工序的上下料机、都要用花篮来传输硅片。
传统的花篮在运输过程中,硅片会与花篮之间发生摩擦,产生相对位移,硅片也会有震动。在提高产能、上下料速度增大时,该情况会更加严重。
由于硅片是厚度在200微米左右的薄片,非常容易产生隐裂和碎片,业界特别注重从生产细节中通过工艺和设备改进等方面来降低硅片的碎片率、提高硅片的合格率。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供太阳能电池硅片用真空吸附式花篮,能够在运输硅片的过程中真空吸附硅片,防止运输过程中硅片与花篮之间的摩擦以及硅片的震动,减少硅片的划伤,从而降低硅片的碎片率、提高硅片的合格率。
本实用新型的上述目的通过如下的技术方案来实现的:太阳能电池硅片用真空吸附式花篮,包括竖梁和横梁,横梁为横向平行设置的多根,每根横梁均与竖梁相连接,上下相邻的横梁之间形成卡槽,用于夹装硅片,其特征在于:所述竖梁为中空梁,内部具有竖梁内腔,竖梁还开设有与竖梁内腔贯通的通气孔,用于外接抽真空设备,所述的多根横梁均为中空梁,内部具有横梁内腔,每个横梁内腔均与竖梁内腔相连通,横梁在正对卡槽的上表面开设有多个真空吸附孔,每个真空吸附孔均与横梁内腔相连通,通过真空吸附孔来真空吸附硅片。
本实用新型的真空吸附式花篮采用真空吸附硅片,防止运输过程中硅片与花篮之间的摩擦以及硅片的震动,减少硅片的划伤,降低碎片率,提高硅片的合格率,减少生产成本。
本实用新型中,所述的多个真空吸附孔为结构相同的圆孔,真空吸附孔的直径为5~15mm。
本实用新型中,所述的多个真空吸附孔呈一字状等间距均匀排列,相邻的真空吸附孔之间的间距为2~20mm。
本实用新型中,所述卡槽的竖向高度为5~20mm。
本实用新型中,所述竖梁和横梁的材质相同,均为塑料或石英。
与现有技术相比,本实用新型的真空吸附式花篮通过抽真空设备来抽真空,通过真空吸附孔在运输硅片的过程中真空吸附硅片,防止运输过程中硅片与花篮之间的摩擦以及硅片的震动,减少硅片的划伤,降低碎片率。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细说明。
图1是本实用新型太阳能电池硅片用真空吸附式花篮的整体结构示意图;
图2是图1的右视图;
图3是本实用新型太阳能电池硅片用真空吸附式花篮中横梁的俯视图。
附图标记说明
1、竖梁;11、通气孔;2、横梁;21、真空吸附孔;3、卡槽。
具体实施方式
如图1至图3所示的太阳能电池硅片用真空吸附式花篮,包括竖梁1和横梁2,竖梁1和横梁2的材质相同,均为石英,横梁2为横向平行设置的多根,每根横梁2均与竖梁1相连接,上下相邻的横梁2之间形成卡槽3,卡槽3的竖向高度为10mm,卡槽3用于夹装硅片。
竖梁1为中空梁,内部具有竖梁内腔,竖梁1还开设有与竖梁内腔贯通的通气孔11,用于外接抽真空设备,多根横梁2均为中空梁,内部具有横梁内腔,每个横梁内腔均与竖梁内腔相连通,横梁2在正对卡槽3的上表面开设有五个真空吸附孔21,每个真空吸附孔21均与横梁内腔相连通,通过真空吸附孔21来真空吸附硅片,从可以可防止运输过程中硅片与花篮之间的摩擦以及硅片的震动,减少硅片的划伤,降低碎片率。
本实施例中,五个真空吸附孔21为结构相同的圆孔,真空吸附孔21的直径为8mm,五个真空吸附孔21呈一字状等间距均匀排列,相邻的真空吸附孔21之间的间距为10mm。
作为本实施例的变换,多个真空吸附孔21也可以采用三角形孔或四边形孔等,当采用圆孔时,其直径也可以在5~15mm之间取值,多个真空吸附孔21呈一字状等间距均匀排列,相邻的真空吸附孔21之间的间距也可以在2~20mm之间取值。卡槽3的竖向高度也可以在5~20mm之间取值。竖梁1和横梁2的材质相同,也可以选用聚氯乙烯等塑料材料。
本实用新型的上述实施例并不是对本实用新型保护范围的限定,本实用新型的实施方式不限于此,凡此种种根据本实用新型的上述内容,按照本领域的普通技术知识和惯用手段,在不脱离本实用新型上述基本技术思想前提下,对本实用新型上述结构做出的其它多种形式的修改、替换或变更,均应落在本实用新型的保护范围之内。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的