[实用新型]大电流半导体器件

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种芯片封装结构，涉及半导体技术领域。

背景技术

IC 器件的设计是以电路原理图为根据，实现电路设计者所需要的功能。其主要指版图设计，需要考虑外部连接的布局，内部电子元件的优化布局，金属连线和通孔的优化布局，电磁保护，热耗散等各种因素。优秀的IC 器件设计可以节约生产成本，达到良好的电路性能和散热性能。焊盘是IC 器件设计中最常接触也是最重要的概念，选择元件的焊盘类型要综合考虑该元件的形状、大小、布置形式、振动和受热情况、受力方向等因素。现有技术容易造成器件空焊、虚焊等问题。

发明内容

本实用新型目的是提供一种大电流半导体器件，该大电流半导体器件在一个封装结构中封装需隔离的两粒芯片，实现了双芯片封装功能，且有利于将引脚和金属焊盘更加牢固的固定，提高了与PCB之间焊接的可靠性。

为达到上述目的，本实用新型采用的技术方案是：一种大电流半导体器件，包括第一芯片、第二芯片、第一L形金属焊盘、第二L形金属焊盘、若干个左侧引脚、若干个右侧引脚和环氧树脂包覆体；

所述第一L形金属焊盘、第二L形金属焊盘均由载片区和连接于载片区一端顶部的杆状延伸部组成，所述第一L形金属焊盘的载片区嵌入第二L形金属焊盘的缺口处，所述第二L形金属焊盘的载片区嵌入第一L形金属焊盘的缺口处；

所述第一芯片、第二芯片分别通过绝缘胶层固定于第一L形金属焊盘、第二L形金属焊盘各自的载片区上表面的中央区域，若干个所述左侧引脚并排间隔地设置于第一芯片、第二芯片的左侧，若干个所述右侧引脚并排间隔地设置于第一芯片、第二芯片的右侧，所述第一L形金属焊盘、第二L形金属焊盘下部边缘处均开有第一缺口槽，所述左侧引脚与第一L形金属焊盘、第二L形金属焊盘相向的内侧端下部开有第二缺口槽，所述右侧引脚与第一L形金属焊盘、第二L形金属焊盘相向的内侧端下部开有第三缺口槽，所述环氧树脂包覆体包覆于芯片、第一L形金属焊盘、第二L形金属焊盘、若干个左侧引脚、若干个右侧引脚上，所述第一L形金属焊盘、第二L形金属焊盘、左侧引脚和右侧引脚各自的下表面裸露出环氧树脂包覆体的底部；

若干根第一金线两端分别与第一芯片、第二芯片和左侧引脚电连接，若干根第二金线两端分别与第一芯片、第二芯片和右侧引脚电连接，所述第一L形金属焊盘、第二L形金属焊盘上表面均沿边缘开有一闭合的环形储膏槽，此环形储膏槽的截面形状为倒梯形，此环形储膏槽位于第一芯片、第二芯片正下方并靠近芯片的边缘区域；所述左侧引脚、右侧引脚的下表面镀覆有金属镀层，所述金属镀层与左侧引脚或者右侧引脚的厚度比为1：8~10。

上述技术方案中进一步改进的方案如下：

上述方案中，所述左侧引脚和右侧引脚的数目均为3~10根。

上述方案中，所述金属镀层为锡层或者镍钯金层。

由于上述技术方案运用，本实用新型与现有技术相比具有下列优点：

1. 本实用新型大电流半导体器件，其第一芯片、第二芯片、第一L形金属焊盘、第二L形金属焊盘、若干个左侧引脚、若干个右侧引脚和环氧树脂包覆体，第一L形金属焊盘、第二L形金属焊盘均由载片区和连接于载片区一端顶部的杆状延伸部组成，所述第一L形金属焊盘的载片区嵌入第二L形金属焊盘的缺口处，所述第二L形金属焊盘的载片区嵌入第一L形金属焊盘的缺口处；因为设置了两个载片区，在一个封装结构中封装需隔离的两粒芯片，实现了双芯片封装功能。

2. 本实用新型大电流半导体器件，其金属焊盘下部边缘处开有第一缺口槽，所述左侧引脚与金属焊盘相向的内侧端下部开有第二缺口槽，所述右侧引脚与金属焊盘相向的内侧端下部开有第三缺口槽，有利于将引脚和金属焊盘更加牢固的固定，提高了与PCB之间焊接的可靠性；其次，其芯片通过绝缘胶层固定于金属焊盘上表面的中央区域，金属焊盘、左侧引脚和右侧引脚各自的下表面裸露出环氧树脂包覆体的底部，裸露的金属焊盘，以便芯片在工作时快速传导热量，散热效果好。

3. 本实用新型大电流半导体器件，其左侧引脚、右侧引脚的下表面镀覆有金属镀层，既降低了器件与PCB的导电接触电阻，也有利于与PCB之间的焊接强度的提高。

附图说明

附图1为本实用新型大电流半导体器件结构示意图；

附图2为附图1的局部结构示意图；

附图3为附图1的A-A剖面结构示意图。