[实用新型]一种电荷泵

权利要求书

1.一种电荷泵，其特征在于，包括：基准电流源模块(410)、电压跟随器(420)以及电荷泵主体电路(430)；

所述基准电流源模块(410)包括启动电路(411)和基准电流产生电路(412)，所述启动电路(411)用于控制所述基准电流产生电路(412)的启动与关断，所述基准电流产生电路(412)用于产生两路偏置电压信号V_N和V_M，并输出至所述电荷泵主体电路(430)；

所述电压跟随器(420)，与所述电荷泵主体电路(430)相连接，用于为电荷泵主体电路提供两路近似相等的电压信号V_A和V_B，从而消除电荷分配；

所述电荷泵主体电路(430)，用于产生充放电电流，包括充电电路和放电电路，所述充电电路用于利用充电控制信号UP，对输出节点进行充电，所述放电电路用于利用放电控制信号DN，对输出节点进行放电。

2.如权利要求1所述的一种电荷泵，其特征在于，所述启动电路(411)包括：第一PMOS管(MP1)、第一电容(C1)、第二PMOS管(MP2)以及第三PMOS管(MP3)；

所述第一PMOS管(MP1)的源级连接至电源电压Vdd，其漏级连接所述第一电容(C1)的一端，并与所述第二PMOS管(MP2)的栅极相连，所述第一电容(C1)的另一端接地；所述第二PMOS管(MP2)的源级连接电源电压Vdd；所述第三PMOS管(MP3)的栅极连接所述第二PMOS管(MP2)的栅极，其漏级接地。

3.如权利要求2所述的一种电荷泵，其特征在于，所述基准电流产生电路(412)包括：第四PMOS管(MP4)、第五PMOS管(MP5)、第一NMOS管(MN1)、第二NMOS管(MN2)以及第一电阻R1；

所述第四PMOS管(MP4)的源级连接电源电压Vdd，其栅级与所述第一PMOS管(MP1)的栅极、所述第三PMOS管(MP3)的源级相连，其漏级连接所述第二PMOS管(MP2)的漏级；所述第一NMOS管(MN1)采用二极管接法，其栅极与其漏级相连，并连接至所述第四PMOS管(MP4)的漏级，其源级与地相连；所述第五PMOS管(MP5)采用二极管接法，其栅极与漏级相连，并连接至第四PMOS管(MP4)的栅极，其源级与电源电压Vdd相连；所述第二NMOS管(MN2)的栅极与所述第一NMOS管(MN1)的栅极相连，其漏级连接至所述第五PMOS管(MP5)的漏级，其源级与所述第一电阻(R1)的一端相连；所述第一电阻(R1)的另一端与地相连。

4.如权利要求1所述的一种电荷泵，其特征在于，所述电压跟随器(420)包括：第六PMOS管(MP6)、第七PMOS管(MP7)、第三NMOS管(MN3)、第四NMOS管(MN4)以及第五NMOS管(MN5)；

所述第六PMOS管(MP6)的源级连接电源电压Vdd；所述第七PMOS管(MP7)的源级与电源电压Vdd相连，其栅极与漏级相连，并连接至所述第六PMOS管(MP6)的栅极；所述第三NMOS管(MN3)的漏级与栅极相连，并连接至所述第六PMOS管(MP6)的漏极，并向所述电荷泵主体电路(430)输出电压信号V_B；所述第四NMOS管(MN4)的漏级连接至所述第七PMOS管(MP7)的漏级，其源级与所述第三NMOS管(MN3)的源级相连，其栅极向所述电荷泵主体电路(430)输出电压信号V_A；所述第五NMOS管(MN5)的栅极连接至所述基准电流产生电路(412)产生的偏置电压信号V_M，其漏级连接所述第三NMOS管(MN3)的源级，其源级接地。