[实用新型]一种复合衬底/三族氮化物微米柱结构有效
| 申请号： | 201720172528.6 | 申请日： | 2017-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN206532753U | 公开（公告）日： | 2017-09-29 |
| 发明（设计）人： | 邱振宇;鲁文超;赵恩;漆林;李宗尧;杨松;曹冰;王钦华 | 申请（专利权）人： | 苏州大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司32103 | 代理人： | 陶海锋 |
| 地址： | 215123 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 复合 衬底 氮化物 微米 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种复合衬底/三族氮化物微米柱结构，其特征在于：所述的复合衬底为在介质材料上生长石墨烯插入层；在石墨烯插入层上生长三族氮化物微米柱。
2.根据权利要求1所述的一种复合衬底/三族氮化物微米柱结构，其特征在于：所述微米柱的高度为10～300um，直径为10～300um。
3.根据权利要求1或2所述的一种复合衬底/三族氮化物微米柱结构，其特征在于：在介质材料石英上生长石墨烯插入层，在石墨烯插入层上生长GaN微米柱。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州大学，未经苏州大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201720172528.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种多控式排风装置
- 下一篇：一种具有输出检测功能的远程控制开关装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
