[实用新型]自热效应检测结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体集成电路技术领域，特别涉及一种自热效应检测结构。

背景技术

在先进互补金属氧化物半导体(CMOS)产业中，随着22nm及更小尺寸的到来，为了改善短沟道效应并提高器件的性能，鳍式场效应晶体管(Fin Field-effect Transistor，FinFET)因其具有更小的器件结构，且性能较好的优势而被广泛的应用。

但是随着该结构的应用，技术人员发现该结构也存在一些缺陷。如FinFET结构中漏极产生的热量会通过扩散到鳍结构以及基底处，而在FinFET结构中鳍结构通常会被二氧化硅等密封，硅和二氧化硅的导热性能都较差，从而导致鳍结构的温度升高，基底的温度也随着升高。器件的温度升高会导致其电子迁移率降低，从而造成器件沟道电流减小，这种现象称为器件的自热效应(self-heating effect)。

因此，自热效应就成为影响FinFET性能的一个重要因素，但是目前并没有一种有效的方法对FinFET的自热效应进行检测监控。鉴于此，有必要设计一种自热效应检测结构用以解决上述技术问题。

实用新型内容

本实用新型提供一种自热效应检测结构，可以有效的检测器件中的自热效应，方便技术人员及时发现问题和改善问题，提高器件的性能。

为解决上述技术问题及其他相关问题，本实用新型提供的自热效应检测结构，包括：

一基底；

至少两个形成于所述基底上的鳍单元，每个所述鳍单元包括至少一个鳍结构；

至少两个形成于所述基底上的第一电极区，每个所述第一电极区横跨一个所述鳍单元中的至少一个鳍结构。

进一步的，所述自热效应检测结构包括至少一检测端和至少一被检测端，至少一个所述第一电极区作为所述检测端，至少一个所述第一电极区作为所述被检测端，所述检测端的第一电极区与所述被检测端的第一电极区交替排列。

可选的，所述自热效应检测结构中包括三个所述第一电极区，其中，一个所述第一电极区作为所述检测端，另外两个所述第一电极区分别作为所述被检测端。

进一步的，在所述的自热效应检测结构中，所述检测端的第一电极区位于两个所述被检测端的第一电极区的中间。

可选的，在所述的自热效应检测结构中，所有的所述第一电极区的延伸方向在同一条直线上。

进一步的，在所述的自热效应检测结构中，所有的所述第一电极区的线宽均一致。

可选的，在所述的自热效应检测结构中，每个所述鳍单元包括不同数量的所述鳍结构。

可选的，在所述的自热效应检测结构中，每个所述鳍单元包括相同数量的所述鳍结构。

进一步的，在所述的自热效应检测结构中，每个所述鳍单元包括相邻的三个所述鳍结构。

进一步的，在所述的自热效应检测结构中，所有的所述鳍结构相互平行。

可选的，在所述的自热效应检测结构中，所有的所述鳍结构的总数量为2个～100个。

可选的，在所述的自热效应检测结构中，相邻两个所述第一电极区在延伸方向上的间距为所述鳍结构的宽度0.5倍～5倍。

进一步的，所述自热效应检测结构还包括一形成于所述基底上的栅极和第二电极区；所述栅极横跨所有的所述鳍单元；所述第二电极区位于所述栅极的一侧；每个所述第一电极区均排列在所述栅极的另一侧。

可选的，在所述的自热效应检测结构中，所述第一电极区为漏区，所述第二电极区为共源区。

可选的，在所述的自热效应检测结构中，所述第二电极区横跨所有的所述鳍单元。

可选的，在所述的自热效应检测结构中，所述栅极的宽度为10nm～50nm。

进一步的，所述自热效应检测结构还包括至少一个形成于所述基底上的伪栅极，所述伪栅极横跨所有的所述鳍单元，所述伪栅极与所述栅极平行且位于所述第一电极区和/或第二电极区远离所述栅极的一侧。

进一步的，所述自热效应检测结构包括两个所述伪栅极，其中一个所述伪栅极位于所述第一电极区远离所述栅极的一侧，另一个所述伪栅极位于所述第二电极区远离所述栅极的一侧。

可选的，在所述的自热效应检测结构中，所述伪栅极的宽度与所述栅极的宽度一致。

与现有技术相比，本实用新型具有以下有益效果：