[实用新型]一种PERC太阳能电池

说明书

技术领域

本实用新型涉及太阳能电池技术，尤其涉及一种PERC太阳能电池。

背景技术

晶硅太阳能电池是一种有效吸收太阳辐射能，利用光生伏打效应把光能转换成电能的器件。当太阳光照射在半导体P-N结上时，会形成新的空穴-电子对，在P-N结电场的作用下，空穴由N区流向P区，电子由P区流向N区，接通电路后就形成电流。

传统的晶硅太阳能电池一般只采用正面钝化技术，在硅片的正面使用PECVD方式沉积一层氮化硅，降低少子在前表面的复合速率，可以大幅度提升晶硅太阳能电池的开路电压和短路电流，从而提升晶硅太阳电池的光电转换效率。

随着当前对晶硅太阳能电池光电转换效率的要求越来越高，人们开始研究PERC背钝化太阳电池技术。但是，具体如何提高PERC太阳能电池的光电转换效率是目前业界亟待解决的技术难题。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种能够大幅度提高电池的光电转换效率、成本低、工艺简单且与传统生产线兼容性好的PERC太阳能电池。

本实用新型的目的通过如下的技术方案来实现：一种PERC太阳能电池，包括从下至上依次设置的背银电极、全铝背场、背面氮化硅膜、氧化铝膜、P型硅、N型发射极、正面氮化硅膜和正银电极，在所述背面氮化硅膜上开有贯通背面氮化硅膜和氧化铝膜的开槽，所述P型硅露于所述开槽中，全铝背场位于开槽内的部分与所述P型硅相连，其特征在于：在所述N型发射极和正面氮化硅膜之间增设有经过退火处理的氧化硅膜。

本实用新型与传统的PERC太阳能电池相比，在N型发射极上沉积了一层薄的氧化硅膜，同时增加了退火处理，可以改善磷的掺杂浓度分布以及降低在N型发射极表面上磷的掺杂浓度，能够显著提高电池的开路电压和短路电流，从而大幅度提升电池的光电转换效率。另外，本实用新型制备工艺简单，设备投入成本低，而且与现有生产线兼容性好，对现有生产线进行简单改造后即可使用。本实用新型结构简单，实用性强，适于广泛推广和适用。

本实用新型所述正面氧化硅膜的厚度为5～500nm。

本实用新型所述背面氮化硅膜的厚度为50～500nm。

本实用新型所述氧化铝膜的厚度为2～50nm。

与现有技术相比，本实用新型具有如下显著的效果：

⑴本实用新型与传统的PERC太阳能电池相比，在N型发射极上沉积了一层薄的氧化硅膜，同时增加了退火处理，可以改善磷的掺杂浓度分布以及降低在N型发射极表面上磷的掺杂浓度，能够显著提高电池的开路电压和短路电流，大幅度提升电池的光电转换效率。

⑵本实用新型制备工艺简单，设备投入成本低，而且与现有生产线兼容性好，对现有生产线进行简单改造后即可使用。

⑶本实用新型结构简单，实用性强，适于广泛推广和适用。

附图说明

下面结合附图和具体实施例对本实用新型作进一步的详细说明。

图1是本实用新型实施例1的结构示意图。

具体实施方式

实施例1

一种PERC太阳能电池的制备方法，具体包括以下步骤：

⑴在P型硅5的正面形成绒面；

⑵在由步骤⑴所得产品的正面进行扩散，形成N型发射极6；

⑶去除由步骤⑵所得产品在扩散过程中形成的磷硅玻璃和周边PN结；

⑷对由步骤⑶所得产品的背面进行抛光；

⑸对由步骤⑷所得产品的正面上沉积氧化硅膜10并退火，温度为650度，时间为20min，氮气流量为1slm；

⑹在由步骤⑸所得产品的背面沉积氧化铝膜4和氮化硅膜，所沉积的氮化硅膜即为背面氮化硅膜3，再在正面沉积氮化硅膜，即为正面氮化硅膜7；氧化铝膜的厚度为2nm，正面氧化硅膜7的厚度为5nm，背面氮化硅膜3的厚度为50nm；

⑺在由步骤⑹所得产品的背面上采用激光开设开槽2，开槽2贯通背面氮化硅膜3和氧化铝膜4；

⑻在由步骤⑺所得产品的背面印刷背电极浆料并烘干；

⑼在由步骤⑻所得产品的背面印刷铝浆并烘干；

⑽在由步骤⑼所得产品的正面印刷正电极浆料；

⑾对由步骤⑽所得产品进行高温烧结，形成背银电极12、全铝背场11和正银电极8；全铝背场11位于开槽2内的部分21与P型硅5相连；

⑿对由步骤⑾所得产品进行抗LID退火即得。