[实用新型]一种基于低温共烧陶瓷技术的功率分配移相器

权利要求书

1.一种基于低温共烧陶瓷技术的功率分配移相器，其特征在于，包括输入端，功率分配及移相模块和多个输出端，其中，所述功率分配及移相模块采用低温共烧陶瓷多层集成电路；

所述输入端与所述功率分配及移相模块相连接，用于接收外部电路输入的功率，并将所接收的功率传送到所述功率分配及移相模块；

所述功率分配及移相模块的一端与所述输入端相连接，另一端与所述多个输出端相连接，用于接收所述输入端输入的功率，并将所接收的功率分配为至少两路的功率，并对所接收的功率进行移相；

所述多个输出端与所述功率分配及移相模块相连接，用于输出分配后的至少两路功率。

2.根据权利要求1所述的功率分配移相器，其特征在于，所述功率分配及移相模块中的电路元件呈折线分布。

3.根据权利要求1所述的功率分配移相器，其特征在于，所述功率分配及移相模块中的电路元件均兼有功率分配及移相的作用。

4.根据权利要求1所述的功率分配移相器，其特征在于，所述功率分配移相器为四路输出功率的功率分配移相器。

5.根据权利要求1～4任一所述的功率分配移相器，其特征在于，所述功率分配及移相模块包括一个巴伦，两个耦合器，其中，所述巴伦与所述输入端相连接，且与所述两个耦合器均连接，所述两个耦合器均与所述输出端相连接。

6.根据权利要求5所述的功率分配移相器，其特征在于，所述功率分配移相器还包括至少两个负载，所述两个耦合器的一端分别与所述至少两个负载中的其中之一相连接，另一端与所述巴伦相连接。

7.根据权利要求1～4任一所述的功率分配移相器，其特征在于，所述功率分配及移相模块包括三个耦合器，其中，第一耦合器与所述输入端相连接，且通过一个移相器与第二耦合器相连接，所述第二耦合器的一端与所述移相器连接，另一端与所述输出端相连接，第三耦合器的一端与所述第一耦合器相连接，另一端与所述输出端相连接。

8.根据权利要求7所述的功率分配移相器，其特征在于，所述功率分配移相器还包括至少两个负载，所述第二耦合器和所述第三耦合器的一端分别与所述至少两个负载的其中之一相连接。

9.根据权利要求1～4任一所述的功率分配移相器，其特征在于，所述功率分配及移相模块包括三个电桥，其中，第一电桥与所述输入端相连接，且通过一个移相器与第二电桥相连接，所述第二电桥的一端与所述移相器连接，另一端与所述输出端相连接，第三电桥的一端与所述第一电桥相连接，另一端与所述输出端相连接。

10.根据权利要求9所述的功率分配移相器，其特征在于，所述功率分配移相器还包括至少两个负载，所述第二电桥和所述第三电桥的一端分别与所述至少两个负载中的其中之一相连接。