[实用新型]显示面板和显示装置

说明书

技术领域

本申请涉及显示技术领域，具体涉及显示面板和显示装置。

背景技术

在液晶显示屏的结构中，通常需要在衬底基板上设置遮光层，以避免TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)器件的性能受到背光的影响。具体可以参见图1所示，其示出了现有技术中显示面板的局部结构示意图。如图1所示，衬底基板11上设置有遮光层12。遮光层12上设置有缓冲层13。缓冲层13上设置有薄膜晶体管(包括：半导体层14、源极16、漏极17和栅极18)。其中，半导体层14设置于缓冲层13上；源极16和漏极17设置于半导体层14上；栅极18位于覆盖半导体层14的绝缘层15上)。由于在工艺制作后成型的遮光层12近似为梯形，所以当遮光层12厚度较大时，会导致位于遮光层12上方的半导体层的厚度不均匀，尤其是凸起处的两边厚度较薄。这样可能会使得TFT器件的驱动电流降低，以致像素充电不足，影响显示面板的显示效果。

实用新型内容

鉴于现有技术中的上述缺陷，本申请实施例提供一种改善的显示面板和显示装置，来解决以上背景技术部分提到的技术问题。

为了实现上述目的，第一方面，本申请实施例提供了一种显示面板，该显示面板包括阵列基板，该阵列基板包括：衬底基板；位于衬底基板上的遮光层，遮光层包括多个遮光区域；覆盖遮光层的缓冲层；位于缓冲层上的半导体层；其中，各遮光区域包括至少两个遮光块，且远离衬底基板的遮光块向靠近衬底基板的遮光块的正投影，位于靠近衬底基板的遮光块的上表面覆盖的区域内。

在一些实施例中，至少两个遮光块具有相同材料，且各遮光块的材料包括以下至少一种：钼金属、钛金属或氮化钼金属。

在一些实施例中，至少两个遮光块的材料不同；各遮光块具有与衬底基板平行的上表面和下表面，且同一遮光块的上表面向下表面的正投影位于下表面覆盖的区域内。

在一些实施例中，至少两个遮光块包括第一遮光块和第二遮光块，且第一遮光块的下表面与衬底基板接触。

在一些实施例中，第一遮光块的材料为钛金属，第二遮光块的材料为钼金属。

在一些实施例中，第一遮光块的材料为氮化钼金属，第二遮光块的材料为钼金属或氮化钼金属。

在一些实施例中，第一遮光块和第二遮光块的材料为氮化钼金属，且第二遮光块的含氮量低于第一遮光块的含氮量。

在一些实施例中，遮光区域还包括第三遮光块，第三遮光块位于第一遮光块和第二遮光块之间；第一遮光块和第三遮光块的材料均为氮化钼金属，第二遮光块的材料为钼金属，其中，第三遮光块的含氮量低于第一遮光块的含氮量。

在一些实施例中，至少两个遮光块之间设置有介质层，介质层为氮化硅层或氧化硅层。

在一些实施例中，半导体层中设置有沟道，各沟道向遮光层的正投影分别位于其中一个遮光区域内。

在一些实施例中，显示面板包括薄膜晶体管；各沟道分别位于其中一个薄膜晶体管的源极和漏极之间，且各薄膜晶体管的栅极向遮光层的正投影分别位于对应的一个遮光区域内。

在一些实施例中，各薄膜晶体管的栅极位于衬底基板和半导体层之间，且各薄膜晶体管的栅极复用为其中一个遮光区域中的至少两个遮光块。

第二方面，本申请实施例提供了一种显示装置，包括上述显示面板。

本申请实施例提供的显示面板和显示装置，通过将遮光区域设置为至少两个遮光块，并且远离衬底基板的遮光块的尺寸小于靠近衬底基板的遮光块的尺寸，可以减缓遮光区域边缘的陡峭程度，从而有利于改善位于遮光区域边缘上方的半导体层的厚度较薄的问题。

附图说明

通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本申请的其它特征、目的和优点将会变得更明显：

图1是的现有技术中的显示面板的局部结构示意图；

图2是本申请提供的显示面板的一个实施例的示意图；

图3是本申请提供的显示面板中的遮光层的一个实施例的结构示意图；

图4是本申请提供的显示面板中的遮光层的另一个实施例的结构示意图；

图5是本申请提供的显示面板中的遮光层的又一个实施例的结构示意图；

图6是本申请提供的显示面板的另一个实施例的示意图；

图7是本申请提供的显示装置的一个实施例的示意图。

具体实施方式