[实用新型]低电压带隙基准电路、芯片、移动电源及行车记录仪有效

专利信息
申请号: 201720189748.X 申请日: 2017-02-28
公开(公告)号: CN206479869U 公开(公告)日: 2017-09-08
发明(设计)人: 莫昌文 申请(专利权)人: 建荣集成电路科技(珠海)有限公司;建荣半导体(深圳)有限公司;珠海煌荣集成电路科技有限公司
主分类号: G05F1/567 分类号: G05F1/567
代理公司: 深圳市六加知识产权代理有限公司44372 代理人: 宋建平
地址: 519000 广东省珠海市吉大*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 电压 基准 电路 芯片 移动 电源 行车 记录仪
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及集成电路技术领域,特别是涉及低电压带隙基准电路、芯片、移动电源及行车记录仪。

背景技术

随着半导体技术和便携式电子产品的发展,对低功耗、高电源电压范围的基准电压源的需求大大增加,也导致带隙基准的设计要求有很大的提高。带隙基准电路可以产生与电源和工艺无关、具有确定温度特性的基准电压或基准电压。带隙基准电路的稳定性对整个系统的内部电源的产生,输出电压的调整等都具有直接且至关重要的影响。

在很多产品应用中,芯片内部需要产生正温度系数电流,类似于监测SOC芯片内部的温度特性以实现过温保护功能,常见于电源管理芯片的应用中。

发明人在实现本发明的过程中,发现现有相关技术至少存在以下问题:现有带隙基准电路的正温度系数电流不能通过简单的镜像复制以供外围电路使用,并且当外围电路不需要正温度系数电流,而关闭带隙基准电路中产生正温度系数电流的电路模块时,带隙基准电路的其它电路功能容易受到干扰。

实用新型内容

本实用新型实施例的一个目的旨在提供一种低电压带隙基准电路、芯片、移动电源及行车记录仪,其解决现有带隙基准电路未能够镜像复制正温度系数电流以及抗干扰能力差的技术问题。

为解决上述技术问题,本实用新型实施例提供以下技术方案:

在第一方面,本实用新型实施例提供一种低电压带隙基准电路,所述低电压带隙基准电路包括:用于输出偏置电压的基准源电路,所述基准源电路包括第一节点与第二节点;用于为所述基准源电路提供偏置电流的基准源镜像电路,其分别与所述基准源电路的第一节点、第二节点连接;用于根据所述偏置电压产生正温度系数电流的正温度系数电流电路,其与所述第二节点连接。

可选的,所述低电压带隙基准电路还包括:用于输出零温度系数电流的零温度系数电流电路,其与所述基准源镜像电路连接;用于为所述零温度系数电流电路提供钳位电压的钳位电路,其分别与所述基准源镜像电路和所述零温度系数电流电路连接。

可选的,所述基准源电路包括:第一PNP三极管、第二PNP三极管、第一电阻、第二电阻及第三电阻,所述第一PNP三极管的发射极与所述第一电阻的一端连接,所述第一电阻的另一端为所述第一节点,所述第一PNP三极管的基极及集电极接地,所述第二电阻的一端与所述第一节点连接,所述第二电阻的另一端接地,所述第二PNP三极管的发射极为所述第二节点,所述第二PNP三极管的基极及集电极接地,所述第三电阻的一端与所述第二节点连接,所述第三电阻的另一端接地。

可选的,所述基准源镜像电路包括:第四电阻、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第一NMOS管及第二NMOS管,所述第一PMOS管的源极分别与所述第二PMOS管的源极和所述第三PMOS管的源极连接,所述第一PMOS管的栅极分别与所述第一PMOS管的漏极、所述第一NMOS管的漏极、所述第二PMOS管的栅极、所述第三PMOS管的栅极连接,所述第二PMOS管的漏极分别与所述第一NMOS管的栅极、所述第二NMOS管的栅极和漏极连接,所述第二NMOS管的源极连接至所述第二节点,所述第一NMOS管的源极连接至所述第一节点,所述第三PMOS管的漏极通过所述第四电阻接地。

可选的,所述正温度系数电流电路包括:第一运放器、第四PMOS管、第五PMOS管、第五电阻及第三PNP三极管,所述第一运放器的同相输入端连接至所述第二节点,所述第一运放器的反相输入端分别与所述第四PMOS管的漏极和所述第五电阻的一端连接,所述第一运放器的输出端分别与所述第四PMOS管的栅极和所述第五PMOS管的栅极连接,所述第四PMOS管的源极和所述第五PMOS管的源极连接,所述第五PMOS管的漏极用于输出正温度系数电流,所述第五电阻的另一端和所述第三PNP三极管的发射极连接,所述第三PNP三极管的基极和集电极接地。

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