[实用新型]一种横向高压功率双极结型晶体管

权利要求书

1.一种横向高压功率双极结型晶体管，其特征在于，包括P型衬底(100)、N型埋层(101)、P型埋层(102)、N型外延层(103)、N型重掺杂环区(104)、P型隔离穿透区(105)、N型穿通区(106)、P型集电区(107)、N型重掺杂基区(108)、P型发射区(109)、预氧层(110)、场氧层(111)、TEOS金属前介质层(112)、集电极第一层金属(113)、发射极第一层金属(114)、基极第一层金属(115)、发射极第二层金属(116)、集电极第二层金属(117)、基极第二层金属(118)和IMD平坦化介质(119)；

所述N型埋层(101)位于P型衬底(100)上表面的中间位置；

所述P型埋层(102)位于P型衬底(100)上表面的两端；

所述N型外延层(103)位于N型埋层(101)之上，所述N型外延层(103)与P型衬底(100)、N型埋层(101)和P型埋层(102)相接触；

所述P型隔离穿透区(105)与N型外延层(103)的两端相接触，所述P型隔离穿透区(105)的底部与P型埋层(102)的顶部相连；

所述N型穿通区(106)位于N型埋层(101)的左端，所述N型穿通区(106)的底部与N型埋层(101)的顶部相连；

所述P型集电区(107)由一个或者多个重复的结构单元构成；所述P型集电区(107)包括环状集电区与中心圆状发射区；所述P型集电区(107)位于N型外延层(103)的中间位置；

所述P型发射区(109)位于N型外延层(103)的中间位置；所述P型发射区(109)位于P型集电区(107)之间；

所述N型重掺杂环区(104)位于P型集电区(107)和P型发射区(109)之间；

所述N型重掺杂基区(108)呈环状结构，所述N型重掺杂基区(108)的一端位于N型穿通区(106)的中间位置，另一端位于N型外延层(103)中；

所述场氧层(111)位于N型穿通区(106)上表面的外侧、N型穿通区(106)和P型集电区(107)之间的上表面、P型集电区(107)和N型重掺杂基区(108)之间的上表面、N型重掺杂基区(108)上表面的外侧；所述N型重掺杂基区(108)为位于N型外延层(103)中的一端；

所述预氧层(110)位于N型外延层(103)之上的场氧层(111)之间的位置；

所述TEOS金属前介质层(112)覆盖在整个器件表面的未开接触孔的位置；所述接触孔分别位于P型集电区(107)之内、P型发射区(109)之内和N型穿通区(106)之内，所述接触孔分别与P型集电区(107)、P型发射区(109)和N型重掺杂基区(108)相接触；

所述发射极第一层金属(114)位于P型发射区(109)的接触孔内，所述发射极第一层金属(114)与P型发射区(109)和TEOS金属前介质层(112)相接触；所述发射极第一层金属(114)的边缘金属尺寸不超过P型发射区(109)；

所述集电极第一层金属(113)位于P型集电区(107)的接触孔内，所述集电极第一层金属(113)与P型集电区(107)和TEOS金属前介质层(112)相接触；所述集电极第一层金属(113)的边缘金属尺寸超过P型集电区(107)两端的长度为结深的1～5倍；

所述基极第一层金属(115)位于N型穿通区(106)的接触孔内，所述基极第一层金属(115)与N型重掺杂基区(108)和TEOS金属前介质层(112)相接触；所述基极第一层金属(115)的边缘金属尺寸不超过N型重掺杂基区(108)；

所述IMD平坦化介质(119)位于集电极第一层金属(113)、发射极第一层金属(114)和基极第一层金属(115)之上的未开通孔的位置；所述通孔位于发射极第一层金属(114)之上、集电极第一层金属(113)的部分区域之上和基极第一层金属(115)的部分区域之上；

所述发射极第二层金属(116)位于所有发射极第一层金属(114)所开的通孔之上；

所述基极第二层金属(118)位于所有基极第一层金属(115)所开的通孔之上；

所述集电极第二层金属(117)位于所有集电极第一层金属(113)所开的通孔之上。

2.根据权利要求1所述的一种横向高压功率双极结型晶体管，其特征在于：所述P型衬底(100)和N型外延层(103)的材料包括体硅、碳化硅、砷化镓、磷化铟或锗硅。