[实用新型]利用混合多芯片集成的光收发器有效

专利信息
申请号: 201720200162.9 申请日: 2017-03-02
公开(公告)号: CN206546453U 公开(公告)日: 2017-10-10
发明(设计)人: 丁亮;拉达克里希南·L·纳贾拉詹;罗伯托·科乔利 申请(专利权)人: 颖飞公司
主分类号: G02B6/42 分类号: G02B6/42;H01L25/16;H04B10/40
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司11240 代理人: 梁丽超,陈鹏
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 利用 混合 芯片 集成 收发
【权利要求书】:

1.一种利用混合多芯片集成的光收发器,其特征在于,包括:

PCB,具有多个预制表面接合位点;

第一芯片,包括嵌入在覆盖电介质再分布层的电介质模制层内的多个电子装置,通过分别在所述多个预制表面接合位点经由多个导体球接合所述电介质再分布层同时暴露填充在多个模制通孔TMV中的焊接材料,将所述第一芯片设置在所述PCB上,所述多个TMV形成在所述电介质模制层中;以及

第二芯片,包括嵌入在SOI晶片中的光子装置,所述第二芯片具有添加有多个导体凸块的前表面,所述第二芯片堆叠在所述第一芯片上方,其中,在所述前表面上的所述多个导体凸块分别接合到所述多个TMV中的所述焊接材料。

2.根据权利要求1所述的光收发器,其特征在于,所述第一芯片包括在覆盖用于所述电介质再分布层的HD-8940PBO膜的扇出晶片级封装(FOWLP)架构下使用用于所述电介质模制层的嵌入绝缘片(EBIS)型材料封装在一起的多个电子管芯。

3.根据权利要求1所述的光收发器,其特征在于,所述多个电子装置包括PAM4ASIC模块、驱动器模块、跨阻抗放大器模块以及多个AC耦合电容器。

4.根据权利要求1所述的光收发器,其特征在于,所述多个导体球中的每个接合到嵌入在所述电介质再分布层中的第一导电焊盘。

5.根据权利要求1所述的光收发器,其特征在于,填充在所述多个TMV中的每个中的所述焊接材料接合到嵌入在所述电介质再分布层中的第二导电焊盘。

6.根据权利要求1所述的光收发器,其特征在于,所述第二芯片是基本上没有硅通孔结构的Si光子芯片。

7.根据权利要求6所述的光收发器,其特征在于,所述光子装置包括基于Si的光波导、调制器以及多个光电二极管。

8.根据权利要求6所述的光收发器,其特征在于,所述第二芯片还包括一个或多个激光二极管,所述一个或多个激光二极管安装在所述前表面的凹陷区域上并且经由安装焊盘与所述多个导体凸块中的一个或多个电耦接,以通过在所述电介质再分布层中的一个或多个导电焊盘以及所述多个导体球中的一个或多个连接到所述PCB,而无需任何外部引线接合。

9.根据权利要求6所述的光收发器,其特征在于,所述第二芯片还包括形成在所述前表面的边缘附近的一个或多个光纤耦合结构。

10.根据权利要求7所述的光收发器,其特征在于,所述电介质再分布层还包括嵌入导线,所述嵌入导线用于分别通过填充在所述多个TMV中的所述焊接材料和在所述第二芯片的所述前表面上的所述多个导体凸块,来将所述多个电子装置选择性地连接到至少所述调制器和所述多个光电二极管。

11.根据权利要求10所述的光收发器,其特征在于,还包括安装在一个或多个光纤耦合结构中的一个或多个光纤,所述一个或多个光纤在所述第二芯片的前表面和所述第一芯片的所述电介质模制层之间,以与对应的基于Si的光波导耦合。

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