[实用新型]P型PERC双面太阳能电池、组件和系统有效
申请号: | 201720203385.0 | 申请日: | 2017-03-03 |
公开(公告)号: | CN206628485U | 公开(公告)日: | 2017-11-10 |
发明(设计)人: | 林纲正;方结彬;陈刚 | 申请(专利权)人: | 浙江爱旭太阳能科技有限公司;广东爱康太阳能科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/068;H01L31/18 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司44202 | 代理人: | 胡枫 |
地址: | 322009 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | perc 双面 太阳能电池 组件 系统 | ||
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池领域,尤其涉及一种P型PERC双面太阳能电池;本实用新型还涉及一种P型PERC双面太阳能组件和系统。
背景技术
晶硅太阳能电池是一种有效吸收太阳辐射能,利用光生伏打效应把光能转换成电能的器件,当太阳光照在半导体P-N结上,形成新的空穴-电子对,在P-N结电场的作用下,空穴由N区流向P区,电子由P区流向N区,接通电路后就形成电流。
传统晶硅太阳能电池基本上只采用正面钝化技术,在硅片正面用PECVD的方式沉积一层氮化硅膜,降低少子在前表面的复合速率,可以大幅度提升晶硅电池的开路电压和短路电流,从而提升晶硅太阳电池的光电转换效率。
随着对晶硅电池的光电转换效率的要求越来越高,人们开始研究PERC背钝化太阳电池技术。目前业界主流厂家的焦点集中在单面PERC太阳能电池的量产,而P型PERC双面太阳能电池,由于光电转换效率高,同时双面吸收太阳光,发电量更高,在实际应用中具有更大的使用价值。但是,目前P型PERC双面太阳能电池也仅仅是一些研究机构在实验室做的研究,如何将P型PERC双面太阳能电池的结构进行优化从而适应大批量生产,有待本领域技术人员进一步探讨和研究。
发明内容
本实用新型所要解决的技术问题在于,提供一种P型PERC双面太阳能电池,可双面吸收太阳光,扩大太阳能电池的应用范围和提高光电转换效率。
本实用新型所要解决的技术问题在于,提供一种P型PERC双面太阳能电池、组件和系统,可双面吸收太阳光,扩大太阳能电池的应用范围和提高光电转换效率。
为了解决上述技术问题,本实用新型提供了一种P型PERC双面太阳能电池,包括背银主栅、铝栅线、背面氮化硅膜、背面氧化铝膜、P型硅、N型发射极、正面氮化硅膜和正银电极;所述背面氮化硅膜、背面氧化铝膜、P型硅、N型发射极、正面氮化硅膜和正银电极从下至上依次层叠连接;
所述背面氮化硅膜和背面氧化铝膜经过激光开槽后形成若干个激光开槽区,激光开槽区包括铝栅开槽区,每个铝栅开槽区内设置至少1组激光开槽单元,所述铝栅线通过铝栅开槽区与P型硅相连;所述铝栅线与激光开槽单元平行或垂直设置;
所述铝栅线包括第一铝栅线,第二铝栅线和第三铝栅线,所述第一铝栅线与背银主栅垂直设置,所述第二铝栅线与背银主栅平行设置,所述第三铝栅线与背银主栅以一定倾斜度相交连接,10°<倾斜度<90°。
作为所述P型PERC双面太阳能电池的优选技术方案,还包括栅线脊骨,栅线脊骨设置在铝栅线上,所述栅线脊骨与铝栅线连接;
所述栅线脊骨的图案为一条连续的直线或多个线段组成的虚线;
所述栅线脊骨的根数为1-20条;
所述栅线脊骨由银浆制成,其宽度为30-60微米;或,所述栅线脊骨由铝浆制成,其宽度为50-500微米。
作为所述P型PERC双面太阳能电池的优选技术方案,所述激光开槽区还包括沿栅线脊骨印刷线路开槽的脊骨开槽区,每个脊骨开槽区内设置至少1组激光开槽单元,所述栅线脊骨通过脊骨开槽区与P型硅相连。
作为所述P型PERC双面太阳能电池的优选技术方案,还包括铝栅外框,所述铝栅外框为四方边框,铝栅外框分别与铝栅线和背银主栅的端点连接;所述铝栅外框的每条边框的宽度为30-1000μm。
作为所述P型PERC双面太阳能电池的优选技术方案,所述激光开槽区还包括沿铝栅外框印刷线路开槽的铝框开槽区,每个铝框开槽区内设置至少1组激光开槽单元,所述铝栅外框通过铝框开槽区与P型硅相连。
作为所述P型PERC双面太阳能电池的优选技术方案,每组激光开槽单元包括至少1个激光开槽单元,激光开槽单元的图案为圆形、椭圆形、三角形、四边形、五边形、六边形、十字形或星形。
作为所述P型PERC双面太阳能电池的优选技术方案,当每组激光开槽单元只有一个激光开槽单元时,激光开槽单元的图案为条状长方形的激光开槽单元;当每组激光开槽单元包括2个或2个以上激光开槽单元时,同组激光开槽单元呈间隔式排布,相邻两个激光开槽单元的间隔距离为0.01-50mm。
作为所述P型PERC双面太阳能电池的优选技术方案,所述激光开槽区的宽度为10-500μm;铝栅线的宽度为30-550μm;背银主栅的宽度为0.5-5mm;所述铝栅线的根数为30-500条;所述背银主栅的根数为2-8条;
所述背银主栅为连续直栅;或所述背银主栅呈间隔分段设置;或所述背银主栅呈间隔分段设置,各相邻分段间通过连通区域连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的