[实用新型]一种SIP‑3封装的双路输出霍尔芯片

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体芯片的技术领域，特别是涉及一种SIP-3封装的双路输出霍尔芯片。

背景技术

当一块通有电流的金属或半导体薄片垂直地放在磁场中时，薄片的两端就会产生电位差，这种现象被称为霍尔效应。霍尔芯片是一种基于霍尔效应的磁传感器，其在霍尔效应原理的基础上，利用集成封装和组装工艺制作而成，可方便的把磁输入信号转换成实际应用中的电信号，同时又具备工业场合实际应用易操作和可靠性的要求。具体地，霍尔开关输出为数字量，将许多非电、非磁的物理量，例如力、力矩、压力、应力、位置、位移、速度、加速度、角度、角速度、转数、转速以及工作状态发生变化的时间等，转变成电量来进行检测和控制。例如，将霍尔元件集成的开关按预定位置有规律地布置在物体上，当装在运动物体上的永磁体经过它时，可以从测量电路上获得脉冲信号。根据脉冲信号序列可以传感出该运动物体的位移。若测出单位时间内发出的脉冲数，则可以确定其运动速度。

现有技术中，霍尔芯片包括图1所示的SIP-3封装的单路输出霍尔芯片和图2所示的SIP-4封装的双路输出霍尔芯片。SIP-3封装的单路输出霍尔芯片的三个引脚分别为电源正极引脚、电源负极引脚和信号输出引脚。SIP-4封装的双路输出霍尔芯片的四个引脚分别为电源正极引脚、电源负极引脚、第一信号输出引脚和第二信号输出引脚。

SIP-3封装的单路输出霍尔芯片的宽度为4.1mm。当采用单个SIP-3封装的单路输出霍尔芯片控制两路输出信号时，不能实现冗余设计。若霍尔芯片发生损坏时，两路输出信号将同时出现故障，导致该结构的霍尔芯片的可靠性差。

SIP-4封装的双路输出霍尔芯片的封装宽度为5.4mm。当采用SIP-4封装的双路输出霍尔芯片控制两路输出信号时，当其中一路输出信号失效时，能够根据两路输出信号的状态及时发现以作出相应措施，故该结构的霍尔芯片可靠性好。然而，SIP-4封装的双路输出霍尔芯片对结构空间、磁铁的设计方案和信号的一致性处理带来了不便。

实用新型内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种SIP-3封装的双路输出霍尔芯片，能够在SIP-3封装下实现双路信号输出，并克服霍尔芯片在结构空间、磁铁设计和信号的一致性处理方面的局限。

为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供一种SIP-3封装的双路输出霍尔芯片，包括第一驱动模块、第二驱动模块、第一NMOS管、第二NMOS管、第一下拉电阻和第二下拉电阻；所述第一驱动模块用于提供第一驱动电流，包括第一霍尔元件、同相比较放大器和第一电压电流转换器；所述同相比较放大器的第一输入端与电源正极引脚相连，第二输入端与所述第一霍尔元件相连，输出端与所述第一电压电流转换器的输入端相连，所述第一电压电流转换器的输出端与所述第一NMOS管的栅极相连；所述第二驱动模块用于提供第二驱动电流，包括第二霍尔元件、反向比较放大器和第二电压电流转换器；所述反相比较放大器的第一输入端与所述电源正极引脚相连，第二输入端与所述第二霍尔元件相连，输出端与所述第二电压电流转换器的输入端相连，所述第二电压电流转换器的输出端与所述第二NMOS管的栅极相连；所述同相比较放大器的第一输入端和所述反相比较放大器的第一输入端极性相同；所述第一NMOS管的漏极与第一信号输出引脚相连，源极接地；所述第二NMOS管的漏极与第二信号输出引脚相连，源极接地；所述第一下拉电阻的一端接地，另一端与所述第一NMOS管的栅极相连；所述第二下拉电阻的一端接地，另一端与所述第二NMOS管的栅极相连；所述第一驱动电流在所述第一下拉电阻处的电压和所述第二驱动电流在所述第二下拉电阻处的电压同时仅使所述第一NMOS管和所述第二NMOS管中的一个导通。

于本实用新型一实施例中，所述第一NMOS管的导通电压和所述第二NMOS管的导通电压相同。

于本实用新型一实施例中，所述同相比较放大器和所述反相比较放大器的放大增益相同。

于本实用新型一实施例中，所述同相比较放大器的第一输入端和所述反相比较放大器的第一输入端均为正输入端。

于本实用新型一实施例中，所述同相比较放大器的第一输入端和所述反相比较放大器的第一输入端均为负输入端。

于本实用新型一实施例中，所述第一下拉电阻和所述第二下拉电阻的阻值相同。

于本实用新型一实施例中，所述第一电压电流转换器和所述第二电压电流转换器的输出电流与输入电压的比值相同。

于本实用新型一实施例中，所述SIP-3封装的双路输出霍尔芯片的宽度为4.1mm。