[实用新型]一种稳定增益的MMIC放大器有效
| 申请号： | 201720210396.1 | 申请日： | 2017-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN206472106U | 公开（公告）日： | 2017-09-05 |
| 发明（设计）人： | 王玉军 | 申请（专利权）人： | 成都泰格微电子研究所有限责任公司 |
| 主分类号： | H03F1/30 | 分类号： | H03F1/30;H03G3/30 |
| 代理公司： | 成都金英专利代理事务所(普通合伙)51218 | 代理人： | 袁英 |
| 地址： | 611731 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 稳定 增益 mmic 放大器 | ||
【权利要求书】：
1.一种稳定增益的MMIC放大器，其特征在于：它包括第一场效应管（FET1），
所述的第一场效应管（FET1）的漏极和第二电阻（R2）的一端相连接；第一场效应管（FET1）的栅极与第一电阻（R1）的一端相连接；第一场效应管（FET1）的源极和第二场效应管（FET2）的漏极相连接；第二场效应管（FET2）的栅极和第二场效应管（FET2）的源极相连并通过接地孔接地。
2.根据权利要求1所述一种稳定增益的MMIC放大器，其特征在于：所述的第一场效应管（FET1）为放大场效应管。
3.根据权利要求1所述一种稳定增益的MMIC放大器，其特征在于：所述的第二场效应管（FET2）为恒流源FET。
4.根据权利要求1所述一种稳定增益的MMIC放大器，其特征在于：所述的第一场效应管（FET1）的栅极被偏置在0V。
5.根据权利要求1所述一种稳定增益的MMIC放大器，其特征在于：所述的第二场效应管（FET2）的漏极与源极间电压为一个正的直流电位。
6.根据权利要求1所述一种稳定增益的MMIC放大器，其特征在于：所述的第一场效应管（FET1）栅极与源极间电压为负。
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