[实用新型]全背电极太阳电池背面离子注入掩模版有效
| 申请号： | 201720218838.7 | 申请日： | 2017-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN206639807U | 公开（公告）日： | 2017-11-14 |
| 发明（设计）人： | 李华;鲁伟明;李中兰 | 申请（专利权）人： | 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L21/265 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司32243 | 代理人： | 王素琴 |
| 地址： | 225300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电极 太阳电池 背面 离子 注入 模版 | ||
1.全背电极太阳电池背面离子注入掩模版,其特征在于,包括相互配合的emitter掩模版和BSF掩模版,所述emitter掩模版上设有emitter开口,所述BSF掩模版设有与emitter开口配合的BSF开口。
2.根据权利要求1所述的全背电极太阳电池背面离子注入掩模版,其特征在于，所述emitter掩模版上等距设有若干列宽长条状结构的emitter开口，每列emitter开口数量为一个，每两列相邻的所述emitter开口中间的间隔距离大于或等于0.5mm，所述BSF掩模版上等距设有细长条状结构的BSF开口，所述BSF开口宽度小于两个相邻emitter开口中间的间隔距离。
3.根据权利要求1所述的全背电极太阳电池背面离子注入掩模版,其特征在于，所述的emitter掩模版上等距设有若干列emitter开口，每列所述emitter开口为若干个，其为长块状结构，每列中上下两个相邻的emitter开口中间的间隔距离为0.1mm-0.3mm，每相邻两列emitter开口中间的间隔距离小于0.5mm，所述BSF掩模版上等距设有若干细长条状结构的所述BSF开口，所述BSF开口宽度小于两个相邻emitter开口中间的间隔距离。
4.根据权利要求1所述的全背电极太阳电池背面离子注入掩模版，其特征在于，所述emitter掩模版为全面开口掩模版或局部开口掩模版，所述BSF掩模版为与所述emitter掩模版相对应的局部开口掩模版或全面开口掩模版。
5.根据权利要求4所述的全背电极太阳电池背面离子注入掩模版,其特征在于，所述emitter掩模版为全面开口掩模版，其为方框型结构，所述BSF掩模版为局部开口掩模版，所述BSF掩模版上等距均匀设有若干点状圆形结构或点状方形结构的所述BSF开口。
6.根据权利要求4所述的全背电极太阳电池背面离子注入掩模版,其特征在于，所述BSF掩模版为全面开口掩模版，其为方框型结构，所述emitter掩模版为局部开口掩模版，所述emitter掩模版上等距均匀设有若干短块状方形结构的emitter开口。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
